【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及电子部件。更具体地,本公开涉及包括具有元件部的基底的电子部件。
技术介绍
1、专利文献1描述了一种片式电阻器(chip resistor)。该片式电阻器包括:具有顶面的基底;设置在所述基底的顶面上的电阻器层;一对第一上电极层,所述一对第一上电极层设置在所述基底的顶面上,并且在所述电阻器层的两侧与所述电阻器层电连接;以及一对第二上电极层,所述一对第二上电极层设置在所述一对第一上电极层上,并且包含75重量%至85重量%(包括端点值)的平均粒径在0.3μm至2μm范围内的银离子、1重量%至10重量%(包括端点值)的碳和树脂。
2、引用清单
3、专利文献
4、专利文献1:wo 2012/114673 a1
技术实现思路
1、片式电阻器,比如专利文献1中的那些,需要进一步抑制:由硫化气体造成的断路的发生,和硫化银的产生。
2、本公开的一个目的是提供一种电子部件,其中抑制了由硫化气体造成的断路的发生,并且还抑制了硫化物的产生。
3、
...【技术保护点】
1.一种电子部件,所述电子部件包括:
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中
3.根据权利要求1或2所述的电子部件,其中
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件,其中
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子部件,其中
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子部件,其中
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子部件,其中
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子部件,其中
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电子部件,其中
10.根据权利要求1至9中任一项
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子部件,所述电子部件包括:
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中
3.根据权利要求1或2所述的电子部件,其中
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件,其中
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子部件,其中
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子部件,其中
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子部件,其中
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子部件,其中
【专利技术属性】
技术研发人员:大林孝志,中村嘉孝,伊藤浩克,矶野恭佑,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:
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