电子部件制造技术

技术编号:41952103 阅读:29 留言:0更新日期:2024-07-10 16:39
本发明专利技术提供了一种电子部件,其能够减少由硫化气体造成的断路的发生,同时还能够抑制硫化物的产生。电子部件10设置有:基底1;在基底1上形成的元件部2;与元件部2相连的引出电极3;绝缘保护层13;中间电极9;以及覆盖中间电极9的外部电极14。绝缘保护层13覆盖元件部2和引出电极3的一部分。中间电极9覆盖绝缘保护层13的一部分并且覆盖引出电极3的表面中未被绝缘保护层13覆盖的那部分。中间电极9含有导电粒子和树脂组分。所述导电粒子包含纤维状导电粒子和片状导电粒子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及电子部件。更具体地,本公开涉及包括具有元件部的基底的电子部件。


技术介绍

1、专利文献1描述了一种片式电阻器(chip resistor)。该片式电阻器包括:具有顶面的基底;设置在所述基底的顶面上的电阻器层;一对第一上电极层,所述一对第一上电极层设置在所述基底的顶面上,并且在所述电阻器层的两侧与所述电阻器层电连接;以及一对第二上电极层,所述一对第二上电极层设置在所述一对第一上电极层上,并且包含75重量%至85重量%(包括端点值)的平均粒径在0.3μm至2μm范围内的银离子、1重量%至10重量%(包括端点值)的碳和树脂。

2、引用清单

3、专利文献

4、专利文献1:wo 2012/114673 a1


技术实现思路

1、片式电阻器,比如专利文献1中的那些,需要进一步抑制:由硫化气体造成的断路的发生,和硫化银的产生。

2、本公开的一个目的是提供一种电子部件,其中抑制了由硫化气体造成的断路的发生,并且还抑制了硫化物的产生。

3、根据本公开的一个方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子部件,所述电子部件包括:

2.根据权利要求1所述的电子部件,其中

3.根据权利要求1或2所述的电子部件,其中

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件,其中

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子部件,其中

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子部件,其中

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子部件,其中

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子部件,其中

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电子部件,其中

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电子部件,其中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电子部件,所述电子部件包括:

2.根据权利要求1所述的电子部件,其中

3.根据权利要求1或2所述的电子部件,其中

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件,其中

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子部件,其中

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子部件,其中

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子部件,其中

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子部件,其中

【专利技术属性】
技术研发人员:大林孝志中村嘉孝伊藤浩克矶野恭佑
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社
类型:发明
国别省市:

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