【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种半导体封装制程，尤指一种可提升制程良率的电子封装件及其制法。
技术介绍
1、随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术，包含有例如芯片尺寸构装(chip scale package，简称csp)、芯片直接贴附封装(direct chip attached，简称dca)或多芯片模块封装(multi-chip module，简称mcm)等覆晶型态的封装模块等。
2、图1为现有电子封装件1的剖面示意图。如图1所示，现有电子封装件1包括一嵌埋有多个电子结构11与多个导电柱13的包覆层15、以及分别设于该包覆层15相对两侧上的第一线路结构10及第二线路结构16。该第一线路结构10具有至少一介电层14与设于该介电层14上的线路层12，以令该电子结构11通过焊锡凸块110接置于该线路层12以电性连接该线路层12，且该导电柱13立设于该线路层12上以电性连接该线路层12。
3、但是，现有电子封装件1于制程中，当该电子结构11接置于该介电层14上时，该介电层14往往无法承受该电子结构11的压力，因而容易造成该线路层12破裂，导致制程良率不佳。
4、因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，可至少部分地解决现有技术的问题。
2、本专利技术的电子封装件包括：一介电层；导电结构，其结
3、本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一具有金属层的承载件，且该金属层上形成有一介电层；将导电结构与强化绝缘部结合该介电层，且该强化绝缘部抵靠该导电结构；设置电子结构于该介电层上，并使该电子结构电性连接该导电结构；以及移除该承载件与该金属层。
4、前述的电子封装件及其制法中，该介电层形成有凹部，以令该导电结构与该强化绝缘部设于该凹部中。例如，该导电结构为柱体或垫体，以令该强化绝缘部位于该介电层与该导电结构之间。或者，该导电结构包含至少一设于该凹部中的导电盲孔与一设于该导电盲孔与该介电层上的垫部，以令该强化绝缘部位于该介电层中以接触抵靠该垫部。进一步，该凹部中设有多个该导电盲孔，使该垫部连接该多个导电盲孔。
5、前述的电子封装件及其制法中，该导电结构相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围小于该强化绝缘部相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围。
6、前述的电子封装件及其制法中，该强化绝缘部的硬度大于该介电层的硬度。
7、前述的电子封装件及其制法中，该强化绝缘部的杨氏模数不同于该介电层的杨氏模数。
8、前述的电子封装件及其制法中，该导电结构包含一形成于该介电层中的导电盲孔及设于该介电层上以连接该导电盲孔的导电线路，且该导电线路具有垫部，使该强化绝缘部对应该垫部处而埋设于该介电层中。
9、前述的电子封装件及其制法中，还包括：于移除该承载件及该金属层前，形成多个导电柱于该金属层上，并使该多个导电柱延伸穿过该介电层而立设于该介电层上；形成包覆层于该介电层上，以令该包覆层包覆该电子结构及该多个导电柱；以及形成线路结构于该包覆层上，并使该线路结构电性连接该多个导电柱及该电子结构。
10、由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法中，主要通过该强化绝缘部接触抵靠该导电结构，以于该电子结构设于该介电层上时，该强化绝缘部可支撑该导电结构，故相比于现有技术，本专利技术能避免该导电结构破裂的问题，因而有利于确保制程良率。
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1.一种电子封装件，包括：
2.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该介电层具有凹部，以令该导电结构与该强化绝缘部设于该凹部中。
3.如权利要求2所述的电子封装件，其中，该导电结构为柱体或垫体，以令该强化绝缘部位于该介电层与该导电结构之间。
4.如权利要求2所述的电子封装件，其中，该导电结构包含至少一设于该凹部中的导电盲孔与一设于该导电盲孔与该介电层上的垫部，以令该强化绝缘部位于该介电层中以接触抵靠该垫部。
5.如权利要求4所述的电子封装件，其中，该凹部中设有多个该导电盲孔，使该垫部连接多个该导电盲孔。
6.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导电结构相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围小于该强化绝缘部相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围。
7.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该强化绝缘部的硬度大于该介电层的硬度。
8.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该强化绝缘部的杨氏模数不同于该介电层的杨氏模数。
9.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导电结构包含一形成于该
10.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括：
11.一种电子封装件的制法，包括：
12.如权利要求11所述的电子封装件的制法，其中，该介电层形成有凹部，以令该导电结构与该强化绝缘部设于该凹部中。
13.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其中，该导电结构为柱体或垫体，以令该强化绝缘部位于该介电层与该导电结构之间。
14.如权利要求12所述的电子封装件的制法，其中，该导电结构包含至少一设于该凹部中的导电盲孔与一设于该导电盲孔与该介电层上的垫部，以令该强化绝缘部位于该介电层中以接触抵靠该垫部。
15.如权利要求14所述的电子封装件的制法，其中，该凹部中设有多个该导电盲孔，使该垫部连接多个该导电盲孔。
16.如权利要求11所述的电子封装件的制法，其中，该导电结构相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围小于该强化绝缘部相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围。
17.如权利要求11所述的电子封装件的制法，其中，该强化绝缘部的硬度大于该介电层的硬度。
18.如权利要求11所述的电子封装件的制法，其中，该强化绝缘部的杨氏模数不同于该介电层的杨氏模数。
19.如权利要求11所述的电子封装件的制法，其中，该导电结构包含一形成于该介电层中的导电盲孔及设于该介电层上以连接该导电盲孔的导电线路，且该导电线路具有垫部，使该强化绝缘部对应该垫部处而埋设于该介电层中。
20.如权利要求11所述的电子封装件的制法，其中，该制法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电子封装件，包括：
2.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该介电层具有凹部，以令该导电结构与该强化绝缘部设于该凹部中。
3.如权利要求2所述的电子封装件，其中，该导电结构为柱体或垫体，以令该强化绝缘部位于该介电层与该导电结构之间。
4.如权利要求2所述的电子封装件，其中，该导电结构包含至少一设于该凹部中的导电盲孔与一设于该导电盲孔与该介电层上的垫部，以令该强化绝缘部位于该介电层中以接触抵靠该垫部。
5.如权利要求4所述的电子封装件，其中，该凹部中设有多个该导电盲孔，使该垫部连接多个该导电盲孔。
6.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导电结构相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围小于该强化绝缘部相对于该介电层表面的垂直投影范围的分布范围。
7.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该强化绝缘部的硬度大于该介电层的硬度。
8.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该强化绝缘部的杨氏模数不同于该介电层的杨氏模数。
9.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该导电结构包含一形成于该介电层中的导电盲孔及设于该介电层上以连接该导电盲孔的导电线路，该导电线路具有垫部，使该强化绝缘部对应该垫部处而埋设于该介电层中。
10.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括：
11.一种电子封装件的制法，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：冯俊皓，林佑宸，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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