本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，发光器件包括：相对设置的阳极与阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层，以及设置于阳极与发光层之间的空穴功能层，空穴功能层的材料包含碳量子点，并且空穴功能层中靠近发光层一侧的碳量子点的平均带隙宽于靠近阳极的一侧的碳量子点的平均带隙，有效提升了空穴功能层的空穴传输能力，从而优化了发光器件的光电性能以及延长了发光器件的使用寿命，所述发光器件的制备方法适用于大规模工业化生产，将所述发光器件或所述发光器件的制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。
1、光电器件是指利用半导体的光电效应或热电效应制成的一类器件，包括但不限于是光电池、发光器件等。以发光器件为例，有机发光二极管(organic light-emittingdiode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)均属于发光器件，oled或qled具有类似“三明治”的结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间，光电二极管的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
2、发光器件经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，发光器件的光电性能和使用寿命有待进一步地提升，尤其是对于量子点发光二极管。
>8、其中，所述空穴功能层的材料包含碳量子点；相较于所述空穴功能层靠近所述阳极的一侧中所述碳量子点的平均带隙，所述空穴功能层靠近所述发光层的一侧中所述碳量子点的平均带隙更宽。9、可选地，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述空穴功能层中的所述碳量子点的平均带隙逐渐变宽；和/或
10、沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述空穴功能层中的所述碳量子点的平均粒径逐渐减小；和/或
11、所述空穴功能层中所述碳量子点的粒径分布范围为1nm至50nm。
12、可选地，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包括所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层相较于所述空穴传输层更靠近所述阳极；
13、其中，所述空穴注入层的材料包括第一碳量子点材料，和/或所述空穴传输层的材料包括第二碳量子点材料。
14、可选地，所述碳量子点包含第一碳量子点材料和/或第二碳量子点材料，所述第一碳量子点材料的平均粒径大于所述第二碳量子点材料的平均粒径；
15、所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包括所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层相较于所述空穴传输层更靠近所述阳极；
16、其中，所述空穴注入层的材料包括第一碳量子点材料，和/或所述空穴传输层的材料包括第二碳量子点材料。
17、可选地，所述第一碳量子点材料的平均粒径为10nm至30nm；和/或
18、所述第二碳量子点材料的平均粒径为1nm至10nm。
19、可选地，当所述空穴注入层的材料包括第一碳量子点材料时，所述空穴注入层的材料还包括第一材料；和/或
20、当所述空穴传输层的材料包括第二碳量子点材料时，所述空穴传输层的材料还包括第二材料；
21、其中，所述第一材料和/或所述第二材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、聚(4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺)、聚(4,4',4'-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、聚(4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯)、聚(n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺)、聚(4,4'-二(9-咔唑)联苯)、聚(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、聚(n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺)、聚(n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺)、聚(n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺)、聚(4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺)、聚(4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺)、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)、聚(2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)、芳香族叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、聚(n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺)、掺杂或非掺杂的石墨烯、c60、掺杂或非掺杂的氧化镍、掺杂或非掺杂的氧化钼、掺杂或非掺杂的氧化钨、掺杂或非掺杂的氧化钒、掺杂或非掺杂的p型氮化镓、掺杂或非掺杂的氧化铬、掺杂或非掺杂的氧化铜、过渡金属硫化物以及过渡金属硒化物中的一种或多种。
22、可选地，在所述空穴注入层中，所述第一材料对所述第一碳量子点材料的质量比为1：(0.01～1)；和/或
23、在所述空穴传输层中，所述第二材料对所述第二碳量子点材料的质量比为1：(0.01～1)。
24、可选地，所述述空穴注入层包括层叠设置的第一空穴注入子层至第m空穴注入子层，m为大于等于2的正整数，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述第一空穴注入子层至所述第m空穴注入子层依次排列，所述第一空穴注入子层至所述第m空穴注入子层中包含的所述第一碳量子点材料的平均带隙分别为第一带隙至第m带隙，所述第一带隙至所述第m带隙依次变宽；和/或
25、所述述空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输子层至第n空穴传输子层，n为大于等于2的正整数，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述第一空穴传输子层至所述第n空穴传输子层依次排列，所述第一空穴传输子层至所述第n空穴传输子层中包含的所述第二碳量子点材料的平均带隙分别为带隙一至带隙n，所述带隙一至所述带隙n依次变宽。
26、可选地，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自4,4'-双本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述空穴功能层中的所述碳量子点的平均带隙逐渐变宽；和/或
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述碳量子点包含第一碳量子点材料和/或第二碳量子点材料，所述第一碳量子点材料的平均粒径大于所述第二碳量子点材料的平均粒径；
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一碳量子点材料的平均粒径为10nm至30nm；和/或
5.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，当所述空穴注入层的材料包括第一碳量子点材料时，所述空穴注入层的材料还包括第一材料；和/或
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，在所述空穴注入层中，所述第一材料对所述第一碳量子点材料的质量比为1：(0.01～1)；和/或
7.根据权利要求4至6任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层包括层叠设置的第一空穴注入子层至第M空穴注入子层，M为大于等于2的正整数，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述第一空穴注入子层至所述第M空穴注入子层依次排列，所述第一空穴注入子层至所述第M空穴注入子层中包含的所述第一碳量子点材料的平均带隙分别为第一带隙至第M带隙，所述第一带隙至所述第M带隙依次变宽；和/或
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料、DBP荧光材料、延迟荧光材料、TTA材料、热活化延迟材料、含有B-N共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料以及激基复合物发光材料中的一种或多种；所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点以及有机-无机杂化钙钛矿量子点的一种或多种；所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe中的一种或多种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb中的一种或多种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的一种或多种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS、CuInSe以及AgInS中的一种或多种；所述无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+以及Eu2+中的一种或多种，X为卤素阴离子；所述有机钙钛矿量子点的结构通式为CMX3，C为甲脒基；所述有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX3，B选自有机胺阳离子；和/或
9.根据权利要求8的发光器件，其特征在于，当所述发光层的材料包括所述量子点时，相较于所述量子点的平均带隙，所述空穴功能层...
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述空穴功能层中的所述碳量子点的平均带隙逐渐变宽；和/或
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述碳量子点包含第一碳量子点材料和/或第二碳量子点材料，所述第一碳量子点材料的平均粒径大于所述第二碳量子点材料的平均粒径；
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一碳量子点材料的平均粒径为10nm至30nm；和/或
5.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，当所述空穴注入层的材料包括第一碳量子点材料时，所述空穴注入层的材料还包括第一材料；和/或
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，在所述空穴注入层中，所述第一材料对所述第一碳量子点材料的质量比为1：(0.01～1)；和/或
7.根据权利要求4至6任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层包括层叠设置的第一空穴注入子层至第m空穴注入子层，m为大于等于2的正整数，沿着所述阳极朝向所述发光层的方向上，所述第一空穴注入子层至所述第m空穴注入子层依次排列，所述第一空穴注入子层至所述第m空穴注入子层中包含的所述第一碳量子点材料的平均带隙分别为第一带隙至第m带隙，所述第一带隙至所述第m带隙依次变宽；和/或
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料、dbp荧光材料、延迟荧光材料、tta材料、热活化延迟材料、含有b-n共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料以及激基复合物发光材料中的一种或多种；所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点以及有机-无机杂化钙钛矿量子点的一种或多种；所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一种或多种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的一种或多种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的一种或多种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins、cuinse以及agins中的一种或多种；所述无机钙钛矿量子点的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，m选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+以及eu2+中的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：关杰豪，周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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