一种降低光伏N型单晶断线率的方法技术

本发明专利技术是一种降低光伏N型单晶断线率的方法，包括以下步骤：1）预热熔接、调温和引晶阶段，采用12T炉压，氩气流量维持100L/min；2）放肩阶段，炉压由12T逐渐降为6T，氩气流量维持100L/min；3）等径阶段，炉压由6T逐渐升为8T，氩气流量维持100L/min。本发明专利技术的优点：方法设计合理。炉压12T时氩气流速相对较慢，对液面温度波动影响小，该阶段N型的晶体生长和P型的晶体生长相同，可保证断线率一致。放肩阶段炉压降为6T，等径头部的氧含量和全程6T一致，可以达到降氧的效果。当等径阶段将炉压升到8T之后，同样可以达到P型生长的断线率效果。本方法通用性强，可适合所有热场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种降低光伏n型单晶断线率的方法，属于单晶生长。

技术介绍

1、在光伏行业n型单晶生长领域，对氧含量要求很高，现有技术生长方法将晶体生长时的炉压从p型的12t降到6t，氩气流量从80l/min提升到100l/min，并升级配套的干泵和过滤罐，其中干泵的抽力从1300l/min上升到4200l/min。

2、上述降氧的原理为：氩气流量越大且炉压越低，则氩气的流速越快，硅液内的液体流动会越剧烈，以实现把硅液内的氧带出来，从而达到降氧的目的。

3、然而现有技术上述方法中，硅液内的液体流动越剧烈，液面温度波动越大，会给单晶生长的预热、熔接、调温、引放和等径等步骤带来温度波动，导致断线率增加，n型的晶体断线率比p型高10％以上。另一方面，若因成本投入过高而不对干泵和过滤罐进行升级，仍进行低炉压拉晶，由于干泵频率过高，干泵高负荷运转会导致氩气流速不稳定，断线率将会增加20％以上。

4、综上所述，现有技术n型单晶生长存在晶棒断线率高的问题。

5、cn117779173a公开了一种用于生成单晶硅棒的降氧热场本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低光伏N型单晶断线率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种降低光伏N型单晶断线率的方法，其特征在于，所述的步骤2)中，长度2-80mm时，炉压维持12T，长度由80mm增加至100mm时，炉压降至10T，长度由100mm增加至130mm时，炉压降至8T，长度由130mm增加至160mm时，炉压降至6T。

3.如权利要求2所述的一种降低光伏N型单晶断线率的方法，其特征在于，所述的步骤3)中，长度2-500mm时，炉压维持6T，长度由500mm增加至800mm时，炉压升至6.3T，长度由800mm增加至1200mm时，炉压升至6.7T...

【技术特征摘要】

1.一种降低光伏n型单晶断线率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的一种降低光伏n型单晶断线率的方法，其特征在于，所述的步骤2)中，长度2-80mm时，炉压维持12t，长度由80mm增加至100mm时，炉压降至10t，长度由100mm增加至130mm时，炉压降至8t，长度由130mm增加至160mm时，炉压降至6t。

3.如权利要求2所述的一种降低光伏n型单晶断线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建波，李方，黄鑫磊，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：