【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件。
技术介绍
1、氮化镓(gan)由于其较大的禁带宽度、高电子漂移速度、耐击穿电压高、较小的介电常数和抗辐射电子气(2deg)使其具有低导通电阻的特性，在半导体领域具有绝对的优势。而p型氮化镓(p_gan)具有正向固定阈值电压、高击穿电压，基于独特的异质结结构具有高电子迁移率以及材料本身的自发极化及材料间的压电极化效应而产生二维电子气而具有较低的导通电阻，这些电学特性使p_gan成为优异的功率器件。
2、相关技术中，为了降低栅极漏电，会在p_gan表面沉积水氧基氧化铝，使p_gan具有较小的栅极漏电，然而，栅极漏电较小，会导致正向阈值电压偏大从而影响器件性能。
技术实现思路
1、本申请提供的氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件，能够解决氮化镓功率器件正向阈值电压偏大的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种氮化镓功率器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，其中，所...
【技术保护点】
1.一种氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二介质层对应所述盖帽层的区域形成贯穿所述第二介质层的第一开口的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二介质层的上表面涂布光阻层之前，还包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一开口内形成第三介质层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层背离所述第二半导体层的上表面形成第二介质层的步骤包括：
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二介质层对应所述盖帽层的区域形成贯穿所述第二介质层的第一开口的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二介质层的上表面涂布光阻层之前，还包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一开口内形成第三介质层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层背离所述第二半导体层的上表面形成第二介质层的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二半导体层的上表面形成第一介质层的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一开口内形成第三介质层之后，还包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘君梦，叶念慈，刘成，王哲力，梁玉玉，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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