一种In(Ga)As量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺制造技术

本申请公开一种In(Ga)As量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺，包括：制备样品并预处理，所述样品从下至上依次包括GaAs衬底层、Al<subgt;0.75</subgt;Ga<subgt;0.25</subgt;As中间层和含有量子点的GaAs层；在所述含有量子点的GaAs层表面制备带有微腔的聚合物掩膜层；采用干法刻蚀将微腔从掩膜层转移到所述含有量子点的GaAs层；采用湿法腐蚀掏空Al<subgt;0.75</subgt;Ga<subgt;0.25</subgt;As中间层，得In(Ga)As量子点微腔悬浮样品。通过干法刻蚀结合湿法腐蚀掏空处理使In(Ga)As量子点微腔悬浮，可提供优化的光学性能、增强的机械稳定性，并且可在光子器件设计与应用、传感和检测等领域发挥重要作用。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体材料，具体涉及一种in(ga)as量子点环形布拉格波导腔悬浮样品及其制备工艺。

技术介绍

1、在对现代光学器件的研究和应用中，如何提高光与物质相互作用强度是人们需要解决的关键问题之一。光学微腔具有时间和空间维度上的光场限制能力，通过共振循环将光束缚在非常小的腔体内从而促进光与物质的相互作用，在光子信息领域中受到人们广泛研究。

2、目前，gaas量子点微腔样品在光电子学和量子计算等领域具有广泛应用。其中，悬浮样品因其优异的光学性能和低损耗特性成为了研究重点。然而，现有的悬浮样品制备技术主要依赖于湿法制备，即通过化学反应将gaas量子点制备在表面张力较小的液体界面上实现悬浮。这种方法虽然能够实现高质量悬浮样品的制备，但存在以下问题和限制：(1)悬浮稳定性差，易受到环境因素的影响，导致样品品质不稳定；(2)制备过程复杂，需要多次清洗和处理，在操作上存在困难；(3)需要大量的溶液，且过程中产生的化学废液对环境造成污染。

技术实现思路

1、为了解决本领域存在的上述不足，本申请旨在提供一种in本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种In(Ga)As量子点环形布拉格波导腔悬浮样品的制备工艺，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述干法刻蚀样品台设定温度为10-20℃；

3.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，所述刻蚀气体流量为Cl2：2-6sccm、BCl3:3-8sccm、Ar：5-10sccm。

4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述Al0.75Ga0.25As中间牺牲层厚度为300-1000nm；所述含有InAs量子点的GaAs层厚度为80-200nm。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述干法...

【技术特征摘要】

1.一种in(ga)as量子点环形布拉格波导腔悬浮样品的制备工艺，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述干法刻蚀样品台设定温度为10-20℃；

3.根据权利要求2所述的制备工艺，其特征在于，所述刻蚀气体流量为cl2：2-6sccm、bcl3:3-8sccm、ar：5-10sccm。

4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述al0.75ga0.25as中间牺牲层厚度为300-1000nm；所述含有inas量子点的gaas层厚度为80-200nm。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述干法刻蚀的样品背面he气吹扫的压力为10-20torr。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽，冀伟杰，
申请(专利权)人：北京量子信息科学研究院，
类型：发明
国别省市：