发光装置、包括其的电子装置和包括其的电子设备制造方法及图纸

技术编号:41921818 阅读:18 留言:0更新日期:2024-07-05 14:21
实施方式提供了发光装置、包括发光装置的电子装置以及包括发光装置的电子设备。发光装置包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的夹层,其中夹层包括发射层以及在发射层和第二电极之间的电子传输区,并且发射层包括第一发射体,并且电子传输区包括杂环化合物,其中第一发射体和杂环化合物在说明书中解释。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及发光装置、包括发光装置的电子装置和包括发光装置的电子设备。


技术介绍

1、发光装置中的自发射装置(例如,有机发光装置)具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性。

2、在发光装置中,第一电极设置在基板上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次设置在第一电极上。从第一电极提供的空穴穿过空穴传输区朝向发射层移动,并且从第二电极提供的电子穿过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态,从而生成光。

3、要理解,本
技术介绍
章节旨在部分地提供用于理解该技术的有用的背景。然而,本
技术介绍
章节也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。


技术实现思路

1、实施方式包括具有低驱动电压和高功率效率的发光装置、包括发光装置的电子装置以及包括发光装置的电子设备。

2、另外的方面将部分地在如下的描述中陈述,并且部分地将从描本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光装置:

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一光的发射峰值波长在600nm至720nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一光的半峰全宽在15nm至90nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述含有Y1的环B1和所述含有Y5的环B5中的至少一个各自独立地为苯并喹啉基、苯并异喹啉基、萘并喹啉基或萘并异喹啉基。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一发射体为杂配复合物。

6.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第三配体与所述第一配体相同或不同。p>

7.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种发光装置:

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一光的发射峰值波长在600nm至720nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一光的半峰全宽在15nm至90nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述含有y1的环b1和所述含有y5的环b5中的至少一个各自独立地为苯并喹啉基、苯并异喹啉基、萘并喹啉基或萘并异喹啉基。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一发射体为杂配复合物。

6.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第三配体与所述第一配体相同或不同。

7.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一发射体包括氟基、氘或其任何组合。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其中

9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:金景宪姜东郁金智慧金会林朴赛荣柳东善赵亨旭
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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