集成电路器件制造技术

本公开提供一种集成电路器件。集成电路器件包括半导体衬底、在所述半导体衬底中的多个光探测区域及在所述半导体衬底中的隔离结构。隔离结构在所述多个光探测区域之间延伸并且具有垂直轮廓，其包括在垂直向上彼此间隔的多个转折节点。所述多个转折节点包括上部以及下部，其中，在所述上部，所述垂直轮廓随着深度的增加而变窄，且在所述上部中，所述垂直轮廓的侧壁角度随着深度的增加而逐渐变平缓，在所述下部，所述侧壁角度不变或随着深度的增加逐渐变陡峭。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种集成电路器件。

技术介绍

1、具有图像传感器的集成电路(integrated circuits,ic)广泛用于现代电子产品器件，例如相机以及手机。互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxidesemiconductor,cmos)器件已成为流行的ic图像传感器。与电荷耦合器件(charge-coupleddevice,ccd)相比，cmos图像传感器(cmos image sensor,cis)具有功耗低、体积小、数据处理速度快、数据直接输出、制造成本低等优点，越来越受到青睐。随着ic尺寸的缩小，cis像素也变得更小。对于较小的像素尺寸，串扰成为一个更大的问题。长期以来，人们一直认为需要在保持灵敏度以及减少串扰的同时使cis像素更小。

技术实现思路

1、根据本公开的一些实施例，一种集成电路器件包括半导体衬底、在所述半导体衬底中的多个光探测区域及在所述半导体衬底中的隔离结构。隔离结构在所述多个光探测区域之间延伸并且具有垂直轮廓，其包括在垂直向上彼此间隔的多个转折节点。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓在所述下部内随着深度的增加而变宽或具有固定宽度。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓在所述多个转折节点的其中之一随着深度的增加而逐渐变窄。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓在所述多个转折节点随着深度的增加而逐渐变窄。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓包括三个或更多个所述多个转折节点。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述多...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓在所述下部内随着深度的增加而变宽或具有固定宽度。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓在所述多个转折节点的其中之一随着深度的增加而逐渐变窄。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓在所述多个转折节点随着深度的增加而逐渐变窄。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述垂直轮廓包括三个或更多个所述多个转折节点。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：施志承，曹淳凯，郭文昌，游秉程，徐鸿文，卢玠甫，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：