一种棒状氧化镓及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体粉体制备技术领域，公开了一种棒状氧化镓及其制备方法，用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明专利技术以尿素作为沉淀剂，通过将其加入到镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温、降温处理后得到棒状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得棒状氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种棒状氧化镓粉末材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体粉体制备，具体涉及一种棒状氧化镓及其制备方法。

技术介绍

1、氧化镓(ga2o3)属于第四代半导体材料，其带隙大小为4.4至5.3ev，可以吸收波长小于250nm的光子，作为新一代半导体材料中的重要成员，氧化镓共包含六种同分异构晶型，分别称为α、β、γ、δ、ε和k相，不同晶型在一定条件下可以进行相互转换，其他几种结构的氧化镓可以在特定条件下转换为β-ga2o3，根据理论研究和实验测量，单斜相氧化镓即β-ga2o3是六种已知多晶型中在高温条件下最稳定的。

2、单斜相β相氧化镓(β-ga2o3)具有比sic和gan更大的禁带宽度(4.9ev)更高的击穿场强(8mv/cm)以及更低的生产成本，同时β-ga2o3的应用可以大幅减小装备体积和有效降低能量损失，在电子器件向小型化、集成化和高密度化的发展趋势中，β-ga2o3成为了未来应用于高压、高频率、高功率以及强辐射器件中的理想材料，ga2o3作为一种重要的功能材料，能够应用于多种领域：从气体传感器到日盲探测器，从催化剂到光学元件。量子尺寸限制效应等小尺寸效应往往会对低维纳米材料的运本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，步骤如下：

2.根据权利要求1所述的棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）混合溶液中镓离子的浓度为0.1-0.6mol/L。

3.根据权利要求2所述的棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）混合溶液中尿素的浓度为0.5-3mol/L。

4.根据权利要求3所述的棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中升温-保温反应的的具体条件为：控制升温速率为5-8℃/min ，当温度上升到92℃后保温20-30min，继续升温到95℃后保温25-35min，待温度升高至97-98℃，保温3-6h后，...

【技术特征摘要】

1.一种棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，步骤如下：

2.根据权利要求1所述的棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）混合溶液中镓离子的浓度为0.1-0.6mol/l。

3.根据权利要求2所述的棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）混合溶液中尿素的浓度为0.5-3mol/l。

4.根据权利要求3所述的棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中升温-保温反应的的具体条件为：控制升温速率为5-8℃/min ，当温度上升到92℃后保温20-30min，继续升温到95℃后保温25-35min，待温度升高至97-98℃，保温3-6h后，停止加热，继续搅拌1-3h。

5.根据权利要求4所述的棒状氧化镓的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中离心、洗涤是指先用纯水洗涤、离心后，再使用无水乙醇...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰，岳康伟，王之君，孙本双，何季麟，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：