半导体封装制造技术

本技术提供一种半导体封装。半导体封装包括衬底及集成电路管芯。衬底阻焊剂具有暴露衬底的接合表面的衬底接合接垫的衬底阻焊剂开口，并且管芯阻焊剂具有暴露集成电路的管芯接合表面的管芯接合接垫的管芯阻焊剂开口。球栅阵列通过管芯阻焊剂开口和衬底阻焊剂开口将管芯接合接垫与衬底接合接垫进行电连接。管芯阻焊剂开口包括在集成电路管芯的接合表面的区域A中的管芯阻焊剂开口的子集A和在集成电路管芯的接合表面的区域B中的管芯阻焊剂开口的子集B。子集A比子集B的管芯阻焊剂开口大。本技术可降低接合凸块破裂的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种半导体封装。

技术介绍

1、以下涉及半导体封装技术、集成电路(ic)管芯安装技术和相关技术。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种半导体封装，包括：衬底，具有设置在所述衬底的接合表面上的衬底介电层，其中所述衬底介电层具有暴露所述衬底的接合表面的衬底接合接垫的衬底介电层开口；至少一个集成电路管芯，具有设置在所述集成电路管芯的接合表面上的管芯介电层，所述管芯介电层设置为面向所述衬底的接合表面，其中所述管芯介电层具有暴露所述集成电路管芯的接合表面的管芯接合接垫的管芯介电层开口；以及球栅阵列，包括导电接合凸块，所述导电接合凸块通过所述管芯介电层开口和所述衬底介电层开口将所述管芯接合接垫与所述衬底接合接垫进行电连接；其中所述管芯介电层开口包括在所述集成电路管芯的接合表面的第一区域中的管芯介电层开口的第一子集以及在所述集成电路管芯的接合表面的第二区域中的管芯介电层开口的第二子集，且其中所述第一子集的管芯介电层开口大于所述第二子集的管芯介电层开口。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一子集的管芯介电层开口的直径与所述衬底介电层开口的直径的比率至少为0.7。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，ASRO-A是所述第一子集的管芯介电层开口的横截面面积，且ASRO-SBT是所述衬底介电层开口的横截面面积。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一子集的管芯介电层开口的直径与所述衬底介电层开口的直径的比率至少为0.7。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，asro-a是所述第一子集的管芯介电层开口的横截面面积，且asro-sbt是所述衬底介电层开口的横截面面积。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昱圣，邱政男，吴俊霖，庄曜群，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：