【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置及包括其的半导体制造设备。更具体地，本公开涉及可以应用于光刻工艺的基板处理装置及包括其的半导体制造设备。
技术介绍
1、半导体制造工艺可以在半导体制造设备内连续地执行，并且可以被划分成前工艺和后工艺。这里，前工艺指代通过在半导体基板(例如，晶片)上形成电路图案来完成半导体芯片的工艺，且后工艺指代对通过前工艺完成的产品的性能进行评价的工艺。
2、半导体制造设备可以安装在被定义为fab的半导体制造工厂中以制造半导体。半导体基板可以移动到执行每个工艺的设备，以依次经历诸如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺、清洁工艺、封装工艺和检查工艺的用于制造半导体的每个工艺。
3、光刻工艺是在半导体基板上形成图案的工艺，并且由涂覆工艺、曝光工艺、显影工艺和烘烤工艺组成。这里，烘烤工艺是对半导体基板进行热处理的工艺，并且可以在涂覆工艺、曝光工艺、显影工艺等工艺之前或之后执行。
4、在烘烤工艺中，将半导体基板放置在腔室内的支承单元上，并且利用安装在支承单元内的加热器来加热半导体基板。然...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板包括多个层，
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述一些层包括所述光刻胶层和聚合物层。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述多个层不包括金属层。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号生成模块发送中红外频带中的激光信号。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号具有3μm至50μm的波长。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号生成模块使所述激光信号在第一方向上入射到所述基板上，>
8.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基板包括多个层，
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述一些层包括所述光刻胶层和聚合物层。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述多个层不包括金属层。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号生成模块发送中红外频带中的激光信号。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号具有3μm至50μm的波长。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号生成模块使所述激光信号在第一方向上入射到所述基板上，
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号生成模块的激光信号发射角度是能够改变的。
9.根据权利要求8所述的装置，还包括：
10.根据权利要求1所述的装置，还包括：
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述激光信号的扫描方向垂直于所述激光信号的发射方向。...
【专利技术属性】
技术研发人员：金周援，朴崠云，郑志宪，崔炳斗，赵妿罗，朴柊奕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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