【技术实现步骤摘要】
本公开关于存储装置及其制造方法，且尤其涉及三维存储装置及其制造方法。
技术介绍
1、近来，由于对于更优异的存储器装置的需求已逐渐增加，已提供各种三维(3d)存储器装置，例如是具有多层迭层结构的三维与非(3d nand)存储器装置。此类三维存储器装置可达到更高的储存容量，具有更优异的电特性，例如是具有良好的数据保存可靠性和操作速度。
2、然而，随着三维存储装置的储存密度与集成度(integration)提升，存储装置的制造过程更加困难，导致合格率下降。因此，有需要提出优化的存储装置及其制造方法，其可增加存储装置在工艺上的合格率。
技术实现思路
1、本公开关于包括下支撑件的存储装置及其制造方法，以改善存储装置在工艺过程中支撑力不足的问题，进而增加工艺上的合格率。
2、根据本公开的一实施例，提供存储装置。该存储装置包括具有阵列区及邻接于阵列区的阶梯区的堆叠结构、配置于堆叠结构中的下隔离结构、配置于堆叠结构的阵列区中的两个存储装置串行及配置于堆叠结构的阶梯区中的至少一个下支...
【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的存储装置，其中该至少一个下支撑件的数量是多个，且所述多个下支撑件设置于所述多个垂直支撑件之间。
4.根据权利要求2所述的存储装置，还包括配置于该阶梯区中的多个接触件，所述多个接触件的底部电性连接于所述多个导电层中所对应的导电层，且所述多个接触件的顶部电性连接于所述多个功能型支撑件中对应的功能型支撑件。
5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括配置于该堆叠结构中的一上隔离结构，其中该上隔离结构沿着一第一方向延伸且使配置于该堆叠结构...
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：
3.根据权利要求2所述的存储装置，其中该至少一个下支撑件的数量是多个，且所述多个下支撑件设置于所述多个垂直支撑件之间。
4.根据权利要求2所述的存储装置，还包括配置于该阶梯区中的多个接触件，所述多个接触件的底部电性连接于所述多个导电层中所对应的导电层，且所述多个接触件的顶部电性连接于所述多个功能型支撑件中对应的功能型支撑件。
5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括配置于该堆叠结构中的一上隔离结构，其中该上隔离结构沿着一第一方向延伸且使配置于该堆叠结构的上部的至少一个导电层分开，该上隔离结构和该下隔离结构在该第一方向上至少部分重叠。
6.根据权利要求5所述的存储装置，其中该阶梯区包括一第一区、一第二区及一第三区，该第二区设置于该第一区与该第三区之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：李智雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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