【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制备方法。
技术介绍
1、纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺寸(1-100nm)或由它们作为基本单元构成的材料，这大约相当于10～1000个原子紧密排列在一起的尺度。当宏观物体细分成纳米尺寸的纳米材料后，其光学、热学、电学、磁学、力学以及化学方面的性质都呈现出显著的不同。
2、由于纳米材料具备独特的性能，被广泛应用到各个方面。比如，纳米材料被广泛用于在发光器件中，具有发光性能的纳米材料可以用于制备发光层，而具有电子传输性能的纳米材料可以用于制备电子功能层等。
3、但纳米材料由于其尺寸为纳米级别，在使用时极易聚集，从而影响其应用。因此，如何提高纳米材料的分散性是纳米材料应用的关键问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制备方法，旨在改善纳米材料的分散性。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种复合材料，包括纳米粒子、温度响应聚合物和溶剂，其中，所述温度响应聚合物具有第一凝胶化临界温度。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合材料由所述纳米粒子、所述温度响应聚合物和所述溶剂组成。
4、可选的，在本申请的一些实施例中，当温度低于所述第一凝胶化临界温度时，所述温度响应聚合物与所述第一溶剂交联形成网络结构所述复合材料形成凝胶态；和/或当温度高于所述第一凝胶化临界温度时，所述复合材料为液态；和/或所述纳米粒子选
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述温度响应聚合物选自聚对苯撑乙烯及其衍生物中的一种或多种；和/或所述溶剂包括第一溶剂，所述第一溶剂选自柠檬烯；和/或所述温度响应聚合物的峰值波长为450～490nm，所述量子点的峰值波长为450～490nm；或者，所述温度响应聚合物的峰值波长为500～560nm，所述量子点的峰值波长为500～560nm；或者，所述温度响应聚合物的峰值波长为580～700nm，所述量子点的峰值波长为580～700nm；和/或所述量子点的平均粒径为4～6nm；和/或所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，选自ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述柠檬烯在所述溶剂中的质量百分比为70％～100％；和/或所述溶剂中还包括第二溶剂，所述第二溶剂选自氯苯、氯仿中的至少一种。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述温度响应聚合物选自ppv、p-ppv、cn-ppv、dp-ppv中的一种或多种；和/或所述温度响应聚合物在所述复合材料中的浓度为2～3mg/ml；和/或所述纳米粒子在所述复合材料中的浓度为20～30mg/ml；和/或所述量子点的峰值波长为500～560nm；和/或所述第一凝胶化临界温度为25～35℃。
8、相应的，本申请实施例还提供一种复合材料的制备方法，包括：提供纳米粒子、温度响应聚合物和溶剂；其中，所述温度响应聚合物具有第一凝胶化临界温度；将所述纳米粒子、所述温度响应聚合物和所述溶剂进行混合，得到所述复合材料；其中，当温度低于所述第一凝胶化临界温度时，所述刺激响应聚合物与所述第一溶剂交联形成网络结构所述复合材料形成凝胶态。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述纳米粒子、所述温度响应聚合物和所述溶剂进行混合，包括：在第一温度下，将所述纳米粒子、所述温度响应聚合物和所述溶剂进行混合，得到所述复合材料；其中，所述第一温度大于所述第一凝胶化临界温度；和/或所述纳米粒子选自量子点。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述温度响应聚合物选自聚对苯撑乙烯及其衍生物中的一种或多种；和/或所述溶剂包括第一溶剂，所述第一溶剂选自柠檬烯；和/或所述第一凝胶化临界温度大于等于室温；和/或所述温度响应聚合物的峰值波长为450～490nm，所述量子点的峰值波长为450～490nm；或者，所述温度响应聚合物的峰值波长为500～560nm，所述量子点的峰值波长为500～560nm本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，包括纳米粒子、温度响应聚合物和溶剂，其中，所述温度响应聚合物具有第一凝胶化临界温度。
2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述纳米粒子、所述温度响应聚合物和所述溶剂组成。
3.如权利要求1-2任一项所述的复合材料，其特征在于，当温度低于所述第一凝胶化临界温度时，所述温度响应聚合物与所述溶剂交联形成网络结构，以使所述复合材料形成凝胶态；和/或
4.如权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述温度响应聚合物选自聚对苯撑乙烯及其衍生物中的一种或多种；和/或
5.如权利要求4所述的复合材料，其特征在于，所述第一溶剂在所述溶剂中的质量百分比为70％～100％；和/或
6.如权利要求5所述的复合材料，其特征在于，所述温度响应聚合物选自PPV、P-PPV、CN-PPV、DP-PPV中的一种或多种；和/或
7.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，包括纳米粒子、温度响应聚合物和溶剂，其中，所述温度响应聚合物具有第一凝胶化临界温度。
2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述纳米粒子、所述温度响应聚合物和所述溶剂组成。
3.如权利要求1-2任一项所述的复合材料，其特征在于，当温度低于所述第一凝胶化临界温度时，所述温度响应聚合物与所述溶剂交联形成网络结构，以使所述复合材料形成凝胶态；和/或
4.如权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述温度响应聚合物选自聚对苯撑乙烯及其衍生物中的一种或多种；和/或
5.如权利要求4所述的复合材料，其特征在于，所述第一溶剂在所述溶剂中的质量百分比为70％～100％；和/或
6.如权利要求5所述的复合材料，其特征在于，所述温度响应聚合物选自ppv、p-ppv、cn...
【专利技术属性】
技术研发人员：张冬莲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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