一种IGBT驱动供电电路制造技术

本技术公开了一种IGBT驱动供电电路，包括串联电容C2、C3，变压器副边绕组一端与电容C1、C3的串联中点连接并为驱动电压输出负端Vs；另一端分两路：一路依次通过电容C1、二极管D1与电容C2外端连接并为驱动电压输出正端Vg，另一路通过稳压二极管Z1与电容C3外端连接并为驱动电压输出地端Ve；电容C2与二极管D1的连接中点与电容C2、电容C3的串联中点之间连接有二极管D2。简化了推挽结构的变压器副边正负压产生方式，避免采用稳压管限流电阻的方式产生的热损耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种大功率开关器件的驱动技术，尤其涉及一种igbt驱动供电电路。

技术介绍

1、随着新能源技术的发展，电力电子变化技术也不断地取得新的进步，特别是技术更先进、开关速度更快、功率更大的新的功率器件的出现，如igbt、sic-mos等功率半导体更是加速了电力电子能源变换技术的迅猛发展。同时更大功率的器件由于高电压、大电流在寄生参数的影响下，要保证可靠的控制开通关断也变得非常有挑战性。因此有不少公司专门服务于大功率型开关器件的驱动产品的设计生产。

2、大功率开关器件的驱动主要由两部分组成，一部分是pwm信号处理，另一部分是驱动供电。本专利技术主要是针对驱动供电部分的的设计。

3、现有技术中，常用驱动供电方案：

4、大功率igbt工作在pwm开关状态，虽然目前igbt主要是电压型开通，输入阻抗很大，但是实际使用仍然要保证足够的门极驱动功率。同时由于igbt关断速度慢存在电流拖尾现象，同时由于电路寄生参数的存在，大功率igbt在开关动作过程中除了需要提供满足开通的正电压外，还需要提供满足可靠关断的负偏压，才能使得igbt本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT驱动供电电路，其特征在于，包括串联电容二(C2)、电容三(C3)，变压器副边绕组一端与电容一(C1)、电容三(C3)的串联中点连接并为驱动电压输出负端(Vs)；另一端分两路：

2.根据权利要求1所述的IGBT驱动供电电路，其特征在于，所述二极管一(D1)、二极管二(D2)采用肖特基二极管。

3.根据权利要求2所述的IGBT驱动供电电路，其特征在于，所述电容一(C1)、电容二(C2)、电容三(C3)采用MLCC陶瓷电容。

4.根据权利要求1、2或3所述的IGBT驱动供电电路，其特征在于，该电路为推挽式IGBT驱动供电电路。

【技术特征摘要】

1.一种igbt驱动供电电路，其特征在于，包括串联电容二(c2)、电容三(c3)，变压器副边绕组一端与电容一(c1)、电容三(c3)的串联中点连接并为驱动电压输出负端(vs)；另一端分两路：

2.根据权利要求1所述的igbt驱动供电电路，其特征在于，所述二极管一(d1)、二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李江坤，
申请(专利权)人：北京大华无线电仪器有限责任公司，
类型：新型
国别省市：