【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文提供的实施例大体上涉及检测器组件、带电粒子设备、带电粒子评估装置和方法。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，作为例如光学效应和附带颗粒的结果，在制造工艺期间在衬底(即，晶片)或掩模上不可避免地出现不期望的图案缺陷，从而降低了产率。因此，监控不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的重要过程。更一般地，对衬底或其它物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的重要过程。
2、具有带电粒子束的图案检查工具已经用于检查物体，例如用于检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对高能量的电子的初级电子束以最终减速步骤为目标，以便以相对低的着陆能量着陆在样品上。电子束作为探测点聚焦在样品上。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致信号粒子(例如，电子)从表面发射，诸如次级电子、背散射电子或俄歇电子。所产生的信号粒子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面上扫描作为探测点的初级电子束，可以跨越样品的表面发射信号粒子。通过从样品表面收集这些发射...
【技术保护点】
1.一种用于带电粒子评估装置的检测器组件，所述检测器组件包括多个电极元件，每个电极元件具有被配置为暴露于从样品发射的信号粒子的主表面，其中相邻电极元件之间是相对于所述电极元件的所述主表面凹陷的凹部，并且其中所述电极元件中的至少一个电极元件是被配置为检测信号粒子的检测器元件，并且所述凹部在所述检测器元件后面横向延伸，其中在所述检测器组件中限定了用于使带电粒子束通过以到达所述样品的孔径。
2.根据权利要求1所述的检测器组件，其中所述凹部在每个电极元件后面横向延伸。
3.根据权利要求1或2所述的检测器组件，其中所述电极元件的所述主表面在所述检测器组件
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于带电粒子评估装置的检测器组件，所述检测器组件包括多个电极元件，每个电极元件具有被配置为暴露于从样品发射的信号粒子的主表面，其中相邻电极元件之间是相对于所述电极元件的所述主表面凹陷的凹部，并且其中所述电极元件中的至少一个电极元件是被配置为检测信号粒子的检测器元件，并且所述凹部在所述检测器元件后面横向延伸，其中在所述检测器组件中限定了用于使带电粒子束通过以到达所述样品的孔径。
2.根据权利要求1所述的检测器组件，其中所述凹部在每个电极元件后面横向延伸。
3.根据权利要求1或2所述的检测器组件，其中所述电极元件的所述主表面在所述检测器组件的主平面表面中。
4.根据前述权利要求中任一项所述的检测器组件，其中所述凹部围绕每个检测器元件，优选地围绕每个电极元件的周边的至少一部分凹陷。
5.根据前述权利要求中任一项所述的检测器组件，其中每个电极元件的所述主表面提供所述电极元件的外表面，并且每个电极元件具有面向与所述外表面相反的方向的内表面，优选地，其中所述内表面的部分是限定所述凹部的凹陷表面的部分。
6.根据前述权利要求中任一项所述的检测器组件，还包括被配置为支撑所述电极元件的隔离元件，优选地，其中所述隔离元件的表面的部分是限定所述凹部的凹陷表面的部分，优选地，所述隔离元件是一个或多个层。
7.根据前述权利要求中任一项所述的检测器组件，还包括电路层...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·JJ·维兰德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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