具备电极的单晶薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种具备电极的单晶薄膜的制备方法，属于压电单晶材料极化领域。本发明专利技术的方法包括如下步骤：提供单晶，在所述单晶的一面形成注入层，在所述注入层的第一面形成第一电极；另外提供衬底，所述衬底上形成有第二电极，将所述第一电极与所述第二电极进行键合，共同形成所述注入层的下电极；保留所述注入层作为单晶薄膜，剥离所述单晶的其它部分，形成第一面带有下电极的单晶薄膜。本发明专利技术能够在单晶薄膜的两面制作电极，形成双面对外引出；另外能够通过离子注入能量控制单晶薄膜的厚度，能得到厚度很薄、均匀性很好的单晶薄膜；进一步的，剥离的单晶材料可重复使用，降低生成成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压电单晶材料极化，特别涉及一种具备电极的单晶薄膜的制备方法。

技术介绍

1、单晶材料是指在同一方向上排列着有序的晶体，具有优异的物理性质和电学性能。单晶材料被用来制造芯片、控制电路和其他半导体元件，广泛应用于集成电路、光电器件、功率器件等领域。单晶的普及促进了电路的小型化、高速化和智能化，提高了半导体器件的性能和质量。

2、单晶在很多应用场景中是以薄膜的形式存在，单晶薄膜是通过特殊的生长工艺将单晶材料生长在基底上并切割成薄片制成的，在形成单晶薄膜后，由于单晶太薄，无法直接在两面制作电极；并且，传统的切片工艺无法达到更薄单晶的要求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种具备电极的单晶薄膜的制备方法，以解决
技术介绍
中的问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种具备电极的单晶薄膜的制备方法，包括：

3、提供单晶，在所述单晶的一面形成注入层，在所述注入层的第一面形成第一电极；

4、另外提供衬底，所述衬底上形成有第二电极，将所述第一电极与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述单晶的一面形成注入层包括：

3.如权利要求2所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述氢离子注入所述单晶的深度不大于2μm，在所述单晶的内表面形成注入层；所述注入层的厚度通过离子注入的能量及剂量来控制。

4.如权利要求2所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层包括但不限于二氧化硅层。

5.如权利要求2所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述保留所述注入层作为单晶薄膜，剥离...

【技术特征摘要】

1.一种具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述单晶的一面形成注入层包括：

3.如权利要求2所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述氢离子注入所述单晶的深度不大于2μm，在所述单晶的内表面形成注入层；所述注入层的厚度通过离子注入的能量及剂量来控制。

4.如权利要求2所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层包括但不限于二氧化硅层。

5.如权利要求2所述的具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述保留所述注入层...

【专利技术属性】
技术研发人员：向毅海，
申请(专利权)人：苏州泽声微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：