半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种可靠性高的半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法包括如下的工序：准备具有半导体结构体、树脂部件和第一绝缘膜的结构体；在位于第一面之上的第一绝缘膜之上和位于树脂部件表面之上的第一绝缘膜之上连续形成覆盖部件；在覆盖部件之上形成抗蚀剂膜，将覆盖部件中位于树脂部件表面之上的覆盖部件除去，由此在位于第一面之上的第一绝缘膜之上残留覆盖部件；利用将覆盖部件用于掩模的蚀刻，将在俯视时位于不与覆盖部件重叠的区域的第一绝缘膜及树脂部件除去；将覆盖部件除去，将第一绝缘膜及树脂部件除去的工序中的对覆盖部件的蚀刻速率比将第一绝缘膜及树脂部件除去的工序中的对抗蚀剂膜的蚀刻速率低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元件的制造方法。

技术介绍

1、例如在专利文献1中公开有将抗蚀剂用于掩模，对无机膜和树脂进行蚀刻的工序。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、【专利文献1】日本特开2015-32809号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本专利技术的目的在于提供一种可靠性高的半导体元件的制造方法。

3、用于解决课题的技术方案

4、根据本专利技术的一方面，半导体元件的制造方法具有如下的工序：准备结构体，该结构体具有：半导体结构体，其具有第一面、位于所述第一面的相反侧的第二面、连接所述第一面和所述第二面的第三面；树脂部件，其配置在所述第二面侧，覆盖所述第二面和所述第三面；第一绝缘膜，其与所述第一面及俯视时与所述第一面相邻的所述树脂部件的表面连续配置；在位于所述第一面之上的所述第一绝缘膜之上和位于所述树脂部件的所述表面之上的所述第一绝缘膜之上连续形成覆盖部件；在所述覆盖部件之上形成抗蚀剂膜，将所述覆盖部件中位于所述树脂部件的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件的制造方法，其中，具有如下的工序：

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，在除去所述第一绝缘膜及所述树脂部件的工序中，将所述抗蚀剂膜与所述树脂部件一同除去。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

4.如权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件的制造方法，其中，具有如下的工序：

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，在除去所述第一绝缘膜及所述树脂部件的工序中，将所述抗蚀剂膜与所述树脂部件一同除去。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：川口浩史，石谷豪浩，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：