液晶元件制造技术

本发明专利技术提供一种即使不使用偏光板、初始的低温响应性也优异、而且在耐光性试验中该低温响应性难以劣化的液晶元件。一种液晶元件，不具备偏光板，具备由第一电极基板和第二电极基板构成的一对电极基板、配置在一对电极基板间的液晶层和设于第一电极基板的与液晶层相反的一侧的紫外线阻断层，第一电极基板为透明电极基板，紫外线阻断层是378nm以下的波长区域的光透射率为0.1％以下的层，液晶层含有包含1种或2种以上液晶化合物的液晶成分，液晶成分含有下述式(1)所表示的液晶化合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶元件。

技术介绍

1、液晶材料被用于以tv、智能手机为代表的显示文字、图像、影像的各种液晶显示元件。液晶显示元件中，使用胆甾液晶的显示元件由于不需要偏光板、能够进一步低耗电化而受到关注(例如参照专利文献1。)。此外，近年来，也在积极进行使用高分子分散型液晶等的液晶调光元件的研究。这样的液晶调光元件也是通常不需要偏光板的液晶元件。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特表2017-513975号公报

5、专利文献2：国际公开第2022/138418号

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、上述不使用偏光板的液晶元件中通常使用折射率各向异性δn比较大的液晶成分(例如δn为0.20左右的液晶成分)。但使用这样的液晶成分的液晶元件与使用偏光板的液晶元件、即使用折射率各向异性δn小的液晶成分(例如δn为0.10左右的液晶成分)的液晶元件相比，具有响应性和环境稳定性差的倾向，特别是有低温响应性由于阳光、周围的光的影响而劣本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种液晶元件，不具备偏光板，

2.根据权利要求1所述的液晶元件，所述液晶成分中，作为所述式(1)所表示的液晶化合物，含有所述式(1)中的所述AT1为选自由所述基(a1)和所述基(b1)组成的组的基、所述AT2和所述AT3为所述基(b1)的液晶化合物1a，其中，所述AT1、所述AT2和所述AT3可以相同也可以互不相同。

3.根据权利要求1所述的液晶元件，所述液晶成分中，作为所述式(1)所表示的液晶化合物，含有所述式(1)中的所述AT1、所述AT2和所述AT3为所述基(b1)、nt为1的液晶化合物1b，其中，所述AT1、所述AT2和所述AT3可以相同也可以互不相同...

【技术特征摘要】

1.一种液晶元件，不具备偏光板，

2.根据权利要求1所述的液晶元件，所述液晶成分中，作为所述式(1)所表示的液晶化合物，含有所述式(1)中的所述at1为选自由所述基(a1)和所述基(b1)组成的组的基、所述at2和所述at3为所述基(b1)的液晶化合物1a，其中，所述at1、所述at2和所述at3可以相同也可以互不相同。

3.根据权利要求1所述的液晶元件，所述液晶成分中，作为所述式(1)所表示的液晶化合物，含有所述式(1)中的所述at1、所述at2和所述at3为所述基(b1)、nt为1的液晶化合物1b，其中，所述at1、所述at2和所述at3可以相同也可以互不相同。

4.根据权利要求3所述的液晶元件，以所述液晶成分的总量为基准，所述液晶化合物1b的含量为25质量％以上。

5.根据权利要求1所述的液晶元件，所述液晶成分进一步含有下述式(2-1)所表示的液晶化合物，

6.根据权利要求1所述的液晶元件，所述液晶成分的转变温度tni为80℃以上。

【专利技术属性】
技术研发人员：中田秀俊，高岛正直，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：