当前位置: 首页 > 专利查询>雷恩大学专利>正文

包括场增强元件的电磁暴露评估装置制造方法及图纸

技术编号:41881491 阅读:13 留言:0更新日期:2024-07-02 00:35
一种用于测量与由电磁源(2)发射的电磁(EM)场相关的物理量的装置(1),所述装置被配置成模拟由有损耗介质,例如生物组织,特别是人体组织,构成的参考对象的EM特性,所述装置包括:‑至少一个电介质层(3),其包括面向所述电磁源(2)的上表面(31)和底表面(32),所述电介质层(3)对由所述电磁源(2)发射的所述EM场至少部分透明;‑至少一个电磁场增强元件(4),其相对于所述至少一个电介质层(3)布置且配置成增强预定区(12)中透射通过所述至少一个电介质层(3)的电磁场的强度;‑至少一个传感器(5),其布置在所述至少一个电磁场增强元件(4)之下且被配置成测量与透射通过所述至少一个电介质层(3)和所述至少一个电磁场增强元件(4)的电磁场相关的所述物理量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种电磁剂量测定装置,且更具体地,本专利技术涉及一种用于模拟由有损耗介质(例如生物组织,特别是人体组织)构成的参考对象的一些电磁特性并通过电磁源发射的电磁场测量在有损耗介质中诱发的电磁剂量测定量的装置。


技术介绍

1、随着无线技术的发展,特别是在与人体接触使用的蜂窝电话的情况下,精确测量人体中电磁(em)波辐射的暴露级别成为一个关键因素。

2、存在各种再现生物组织的电磁性质的装置,统称为用于评估人体对电磁波的暴露程度的“幻影(phantom)”:液体幻影、半固体幻影、固体幻影以及混合式幻影。液体幻影包括塑料部件或固体外壳,其中填充有凝胶或液体,该凝胶或液体具有与人体生物组织类似的em性质,测量频率通常是由于较高水含量而设置的,就像在生物组织中一样。这些装置通常在30mhz至6ghz的频率范围内使用。这些装置有几个问题:由于液体会随时间蒸发和/或液体的电介质性能会随时间退化,因此需要经常更换液体。这些装置需要特殊的测试设备来支撑它们的重量。由于水分子对em场的强吸收,导致em场穿透深度非常浅且因此嵌入式传感器的信噪比(snr)不足,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于测量与由电磁源(2)发射的电磁(EM)场相关的物理量的装置(1),所述装置被配置成模拟由有损耗介质,例如生物组织,特别是人体组织,构成的参考对象的EM特性,所述装置包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个电磁场增强元件(4)从至少一个电介质层(3、33)的底表面(32、33.2)朝向所述至少一个传感器(5)延伸。

3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述至少一个电磁场增强元件(4)至少部分地嵌入所述至少一个电介质层(3)中,所述至少一个电介质层(3)具有绝对值比所述EM场增强元件(4)的材料的绝对值小的复介电常数。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于测量与由电磁源(2)发射的电磁(em)场相关的物理量的装置(1),所述装置被配置成模拟由有损耗介质,例如生物组织,特别是人体组织,构成的参考对象的em特性,所述装置包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个电磁场增强元件(4)从至少一个电介质层(3、33)的底表面(32、33.2)朝向所述至少一个传感器(5)延伸。

3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述至少一个电磁场增强元件(4)至少部分地嵌入所述至少一个电介质层(3)中,所述至少一个电介质层(3)具有绝对值比所述em场增强元件(4)的材料的绝对值小的复介电常数。

4.根据权利要求3所述的装置,其包括至少两个电介质层(33、34),所述电介质层(34)具有面向所述传感器(5)的底表面(34.2),包括用基底介质填充的腔(43),所述至少一个电磁场增强元件(4)放置在所述腔(43)中,所述基底介质具有绝对值比所述em场增强元件(4)的材料的绝对值小的复介电常数。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其进一步包括至少一个导电层(6),所述导电层定位在至少一个电介质层(3、34)的底表面(32、34.2)上。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述至少一个导电层(6)包括一个开放腔(7),所述电磁场增强元件(4)放置在所述开放腔(7)中。

7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述至少一个导电层(6)包括至少一个通孔(71)并且所述至少一个通孔(71)的大小比所述em场增强元件(4)的大小小,所述em场增强元件(4)以覆盖至少一个通孔(71)的方式定位在所述导电层(6)的底表面(62)上。

8.根据权利要求4和5所述的装置,其特征在于,所述至少一个导电层(6)包括至少一个通孔(71)并且所述至少一个通孔(71)的大小比所述em场增强元件(4)的大小小,放置在所述腔(43)中的所述em场增强元件(4)与所述至少一个通孔(71)对准。

...

【专利技术属性】
技术研发人员:马克西姆·兹哈多波弗阿泰姆·博里斯金罗南·索洛
申请(专利权)人:雷恩大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1