高边NMOS管输出保护电路、芯片及电子设备制造技术

本公开提出一种高边NMOS管输出保护电路、芯片及电子设备，涉及电路技术领域，包括依次相连接的保护电路、分压电路、启动使能电路、电流生成电路、比较器电路和保护输出电路，分压电路用于根据分压电阻生成第一比较电压和第二比较电压；启动使能电路用于根据自举升压电压和输入引脚的反馈电压之间的电压差，产生使能信号；电流生成电路用于在启动使能电路进入工作状态的情况下，为比较器电路提供第一电流值；比较器电路用于根据第一比较电压和第二比较电压的比较结果，控制比较器输出电压。实现了电源的高边NMOS管过流保护功能，提高了芯片的可靠性，实现了芯片的休眠状态的低功耗运行，延长了智能高侧开关电路的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电路，尤其涉及一种高边nmos管输出保护电路、芯片及电子设备。

技术介绍

1、现有的有外部采样电阻的高边nmos管(n-type metal-oxide-semiconductor，n型金属氧化物半导体场效应晶体管)过流保护电路，必须额外设计电路，增大了芯片功耗，必须使用外部采样电阻。而无外部采样电阻的高边nmos管过流保护电路，必须额外设计电路，增大了芯片功耗，使用内部电流镜复制电流，上电瞬间易误触发过流保护。

技术实现思路

1、本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

2、本公开第一方面实施例提出了一种高边nmos管输出保护电路，包括依次相连接的保护电路、分压电路、启动使能电路、电流生成电路、比较器电路和保护输出电路，

3、其中，所述保护电路的一侧连接连接自举升压电压，另一侧连接输入引脚的反馈电压，所述分压电路用于根据分压电阻生成第一比较电压和第二比较电压；

4、所述启动使能电路用于根据所述自举升压电压和所述输入引脚的反馈电压之间的电压差，产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高边NMOS管输出保护电路，其特征在于，包括依次相连接的保护电路、分压电路、启动使能电路、电流生成电路、比较器电路和保护输出电路，

2.根据权利要求1所述的高边NMOS管输出保护电路，其特征在于，所述保护电路中包括第一稳压管，

3.根据权利要求2所述的高边NMOS管输出保护电路，其特征在于，其中，所述分压电路包括所述第一电阻、第二电阻、所述第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻以及第一NMOS管，其中，

4.根据权利要求1所述的高边NMOS管输出保护电路，其特征在于，其中，

5.根据权利要求1所述的高边NMOS管输出保护电路，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种高边nmos管输出保护电路，其特征在于，包括依次相连接的保护电路、分压电路、启动使能电路、电流生成电路、比较器电路和保护输出电路，

2.根据权利要求1所述的高边nmos管输出保护电路，其特征在于，所述保护电路中包括第一稳压管，

3.根据权利要求2所述的高边nmos管输出保护电路，其特征在于，其中，所述分压电路包括所述第一电阻、第二电阻、所述第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻以及第一nmos管，其中，

4.根据权利要求1所述的高边nmos管输出保护电路，其特征在于，其中，

5.根据权利要求1所述的高边nmos管输...

【专利技术属性】
技术研发人员：李响，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：