【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池,特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件。
技术介绍
1、在topcon (tunnel oxide passivated contact) 电池的制作过程中,通常采用双插工艺在基底的正面形成发射极,实现提升扩散工序产能的目的。然而,在此过程中还存在无法兼顾生产效率与电池性能的问题。
技术实现思路
1、基于此,有必要提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件,以兼顾电池的生产效率和电池的性能。
2、根据本申请的一个方面,本申请实施例提供了一种太阳能电池的制作方法,太阳能电池包括基底,基底具有相对设置的第一表面和第二表面,基底为n型基底,太阳能电池的制作方法包括:
3、对基底的第一表面进行硼扩散处理,以在第一表面形成层叠的第一掺杂层和第一硼硅玻璃层,以及在第二表面的至少部分区域形成层叠的第二掺杂层和第二硼硅玻璃层;
4、对至少部分区域形成层叠的第二掺杂层和第二硼硅玻璃层的第二表面进行磷吸杂处理,使得第二硼硅玻璃层形成硼磷硅玻璃层;
...【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法,所述太阳能电池包括基底,所述基底具有相对设置的第一表面和第二表面,其特征在于,所述基底为N型基底,所述太阳能电池的制作方法包括:
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述对至少部分区域形成层叠的所述第二掺杂层和所述第二硼硅玻璃层的所述第二表面进行磷吸杂处理,使得所述第二硼硅玻璃层形成硼磷硅玻璃层,包括:
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述通过链式吸杂工艺对所述基底的所述第二表面进行吸杂处理,包括:
4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法,所述太阳能电池包括基底,所述基底具有相对设置的第一表面和第二表面,其特征在于,所述基底为n型基底,所述太阳能电池的制作方法包括:
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述对至少部分区域形成层叠的所述第二掺杂层和所述第二硼硅玻璃层的所述第二表面进行磷吸杂处理,使得所述第二硼硅玻璃层形成硼磷硅玻璃层,包括:
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述通过链式吸杂工艺对所述基底的所述第二表面进行吸杂处理,包括:
4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述吸杂处理包括至少执行一次的温控处理阶段;
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述升温吸杂处理阶段的升温速率大于等于50℃/s;和/或
6.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述磷浆层通过预设工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴仁豪,费志良,张宁,邱彦凯,
申请(专利权)人:晶科能源上饶有限公司,
类型:发明
国别省市:
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