【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子电路，具体设计一种有良好抗辐照能力的电平移位电路。
技术介绍
1、在辐照条件下，辐照带来的单粒子和总剂量效应会对电路信号产生极大的影响，尤其是单粒子效应对电路节点带来的窄脉冲信号，会对导致电平移位结构产生误触发，从而产生电路功能的错误。而且总剂量效应也会带来功率管的耐压下降，从而导致击穿的问题。因此电平移位的抗辐射性能对整体芯片在辐照环境的下的稳定性与可靠性有着重要的意义。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提出一种有良好抗辐照能力的电平移位电路。
2、为实现上述专利技术目的，本专利技术技术方案如下：
3、一种有良好抗辐照能力的电平移位电路，包括：
4、抗辐照滤波结构110，所述抗辐照滤波结构110的正向输入端与抗辐射电平移位电路的正向输入端相连；抗辐照滤波结构110的负向输入端与抗辐射电平移位电路的负向输入端相连；
5、抗辐照滤波结构110的输出端与电平移位结构120的输入相连；抗辐照滤波结构110的地端与低侧地相
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【技术保护点】
1.一种有良好抗辐照能力的电平移位电路，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的一种有良好抗辐照能力的电平移位电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种有良好抗辐照能力的电平移位电路，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种有良好抗辐照能力的电平移位电路，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种有良好抗辐照能力的电平移位电路，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的一种有良好抗辐照能力的电平移位电路，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，杨杰，闫世宇，李小辉，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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