一种制备MEMS器件的牺牲层工艺方法技术

一种制备ＭＥＭＳ器件的牺牲层工艺方法，属于微机械加工技术领域，涉及ＭＥＭＳ器件和集成电路工艺，尤其涉及制备ＭＥＭＳ器件的牺牲层工艺。本发明专利技术首先采用相同的牺牲层沉积工艺条件，在衬底（１）的正反两面沉积相同厚度和材质的第一牺牲层（２）和第二牺牲层（３）；然后待牺牲层固化后在第一牺牲层（２）的表面制备ＭＥＭＳ器件的结构层（４）；最后在完成ＭＥＭＳ器件的结构层（４）的制备后，在相同的腐蚀工艺下去除第一牺牲层（２）和第二牺牲层（３）。本发明专利技术通过在衬底的正反两面双向生长牺牲层材料和同时腐蚀去除牺牲层，能最大限度的抵消牺牲层自身生长、固化过程中引起的应力和形变，因而能够保证ＭＥＭＳ器件的衬底平整和结构层平整，从而有利于提高ＭＥＭＳ器件的性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备ＭＥＭＳ器件的牺牲层工艺方法，包括以下步骤：　步骤１、采用相同的牺牲层沉积工艺条件，在衬底（１）的正反两面沉积相同厚度和材质的第一牺牲层（２）和第二牺牲层（３）；　步骤２、待步骤１所沉积的牺牲层固化后在第一牺牲层（２）的 表面制备ＭＥＭＳ器件的结构层（４）；　步骤３、完成ＭＥＭＳ器件的结构层（４）的制备后，在相同的腐蚀工艺下去除第一牺牲层（２）和第二牺牲层（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋亚东，王涛，陈超，吴志明，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]