【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于红外胶体量子点领域，具体涉及一种高均一性红外胶体量子点的制备和表面调控方法及应用。
技术介绍
1、胶体量子点作为一种新兴半导体材料，已经逐渐应用到红外光电探测领域当中。其中碲化汞(hgte)红外胶体量子点作为一个重要分支，它具有优良的光电性能。从胶体量子点发展以来，主要使用的是液相合成技术，通过不断的改进优化，对胶体量子点尺寸和产率的控制都已经得到明显的改善。但是由于hgte胶体量子点的合成是一个复杂的过程，受到多种相互依赖的变量的控制，hgte胶体量子点由于比表面能高，处于热力学不稳状态，极易团聚从而导致量子点光电性能的下降。为解决量子点团聚的问题，需要对量子点合成方法进行优化和表面改性处理。而且现有合成方法的可重复性和均一性一直是关注的点，因此对胶体量子点的合成方法的优化一直是人们在探索的部分。当前，主要通过对量子点前驱体的取代基团进行优化来调控红外胶体量子点的尺寸均一性，然而目前公开的三取代量子点前驱体所合成的量子点，其尺寸均一性仍有待进一步提高。
2、此外，为进一步提高胶体量子点的载流子输运能力，还需要...
【技术保护点】
1.一种高均一性红外胶体量子点，其特征在于，由汞盐与式1和式2所示碲前驱体先后通过两步法制备而成；
2.根据权利要求1所述的红外胶体量子点，其特征在于，取代芳基为卤素取代芳基或烷氧基取代芳基。
3.权利要求1或2所述的红外胶体量子点的制备方法，其特征在于，所述方法：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，S2中高反应速率含碲前驱体与低反应速率含碲前驱体的摩尔比为1:(0.8-1.2)，加热温度为90-110℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，S2中采用DDT、DDAB和IPA进行清洗。
6.权...
【技术特征摘要】
1.一种高均一性红外胶体量子点，其特征在于，由汞盐与式1和式2所示碲前驱体先后通过两步法制备而成；
2.根据权利要求1所述的红外胶体量子点，其特征在于，取代芳基为卤素取代芳基或烷氧基取代芳基。
3.权利要求1或2所述的红外胶体量子点的制备方法，其特征在于，所述方法：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，s2中高反应速率含碲前驱体与低反应速率含碲前驱体的摩尔比为1:(0.8-1.2)，加热温度为90-110℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，s2中采用ddt、ddab和ipa进行清洗。<...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。