可双向耐压的DMOS器件制造技术

本发明专利技术涉及一种可双向耐压的DMOS器件，包括源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极同时相互耐压。本发明专利技术的可双向耐压的DMOS器件，通过一个DMOS器件替代两个串联的MOS器件来作为高功率管使用，对于特定耐压值，Rsp可以做到接近两MOS器件的Rsp之和，实现同样的Ron目标，DMOS器件面积可以缩减将近50%，从而大幅降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，更具体地涉及一种可双向耐压的dmos器件。

技术介绍

1、对于具有快速充电功能和无线充电功能的系统的负载开关、充电器电路和充电保护电路等应用场景，通常设计是采用两个对顶串联的mos（金属氧化物半导体场效应管）器件作为高边功率管，来实现电路输入端in对输出端out可以正向耐压同时可以反向耐压的控制开关。

2、现有的控制开关对rsp（单位面积导通电阻）和耐压值都有比较高的要求，对于特定耐压值的mos器件，如果需要的ron（导通电阻）越小，那么mos器件的面积就会越大，对于两个串联的mos器件，总的ron为两个mos器件的ron相加。为了降低ron，可通过增加mos器件的尺寸来实现，但是这样会增加其面积，导致成本上升。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种可双向耐压的dmos器件，通过一个dmos器件替代两个串联的mos器件来作为高功率管使用，对于特定耐压值，rsp可以做到接近两mos器件的rsp之和，实现同样的ron目标，dmos器件面积可以缩减将近50%，从而大幅降本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可双向耐压的DMOS器件，其特征在于，包括源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极同时相互耐压。

2.根据权利要求1所述的可双向耐压的DMOS器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有隔离岛，所述栅极覆盖在所述隔离岛上，所述隔离岛被第一分界线分隔成第一区域和第二区域，所述栅极横跨所述第一区域和所述第二区域；所述第一区域中形成有第一P阱，所述第一P阱中形成有源区和衬底引出区，所述源极附于所述源区上，所述衬底电极附于所述衬底引出区上；...

【技术特征摘要】

1.一种可双向耐压的dmos器件，其特征在于，包括源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极同时相互耐压。

2.根据权利要求1所述的可双向耐压的dmos器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有隔离岛，所述栅极覆盖在所述隔离岛上，所述隔离岛被第一分界线分隔成第一区域和第二区域，所述栅极横跨所述第一区域和所述第二区域；所述第一区域中形成有第一p阱，所述第一p阱中形成有源区和衬底引出区，所述源极附于所述源区上，所述衬底电极附于所述衬底引出区上；所述栅极至少覆盖所述第一p阱的部分；所述第二区域中形成有第一扩散区，所述第一扩散区中形成有漏区，所述漏极附于所述漏区上；所述第一扩散区和所述第一p阱间隔设置。

3.根据权利要求2所述的可双向耐压的dmos器件，其特征在于，所述衬底为p型，所述隔离岛为p型外延层，所述第一扩散区为n型，所述源区和所述漏区均为n型重掺杂区，所述衬底引出区为p型重掺杂区。

4.根据权利要求2所述的可双向耐压的dmos器件，其特征在于，所述第一p阱的一个侧边位于所述第一分界线上。

5.根据权利要求2所述的可双向耐压的dmos器件，其特征在于，所述栅极包括主体和延伸段，所述主体的两端分别与所述源区和所述第一扩散区自对准，所述延伸段位于所述主体上方，且从所述主体向外延伸至所述第一扩散区的上方，所述延伸段形成为场板。

6.根据权利要求1所述的可双向耐压的dmos器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪义，甘戈，
申请(专利权)人：钰泰半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：