一种用于PWM信号整形的比较器和数字隔离芯片制造技术

本发明专利技术涉及PWM信号整形技术领域，公开了一种用于PWM信号整形的比较器和数字隔离芯片，比较器包括双输入的一级放大单元、二级放大单元和前馈单元；在实际使用时，本发明专利技术通过在MOS管M17的漏极和第二放大输出端之间设置前馈单元，这样前馈单元可以基于PWM信号来调整一级放大单元的第一放大输出端的电压大小，而通过调整第一放大输出端的电压大小可以改变MOS管M20的栅极电压大小，从而可以加速MOS管M20的开关速度，从而能加速MOS管M20的漏极的电位建立，提高PWM信号的转换速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及pwm信号整形，具体涉及一种用于pwm信号整形的比较器和数字隔离芯片。

技术介绍

1、在现有的工业应用控制系统中，往往需要一个控制器控制一个或者多个外围系统，由于控制端和被控制端可能处于不同的环境，所以不同控制端与被控制端之间可能会存在数千伏的压差。而较大的压差大不仅会影响控制端与被控制端的正常使用，还容易导致机器报废，所以需要一个中间端来隔离不同端之间的电压域压差。其中数字隔离芯片即可实现控制端与被控制端之间的隔离，也可完整的传递信号。

2、数字隔离芯片由tx模块、隔离电容、rx模块三部分构成。其中tx模块需先通过比较器对pwm输入信号整形，然后进行调制，最后再将调制后的信号通过隔离电容发射给rx模块。

3、处理pwm信号的比较器的性能至关重要，比较器处理的是隔离器输入信号源头，对其的性能要求是要能够滤掉pcb板或者其他干扰产生的噪声，同时也要能够处理好高速信号，最终完成信号的整形与加强驱动。然而现有比较器的处理速度较慢，不能满足实际使用需求。

技术实现思路p>

1、鉴于背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于PWM信号整形的比较器，其特征在于，包括双输入的一级放大单元、二级放大单元和前馈单元；

2.根据权利要求1所述的一种用于PWM信号整形的比较器，其特征在于，所述一级放大单元包括MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13和MOS管M14；

3.根据权利要求1所述的一种用于PWM信号整形的比较器，其特征在于，所述前馈单元包括电容C2、电阻R2、MOS管M16和MOS管M15；

4.根据权利要求1所述的一种用于PWM信号整形的比较器，其特征在于，所述MOS管M18的漏极与反相器INV1...

【技术特征摘要】

1.一种用于pwm信号整形的比较器，其特征在于，包括双输入的一级放大单元、二级放大单元和前馈单元；

2.根据权利要求1所述的一种用于pwm信号整形的比较器，其特征在于，所述一级放大单元包括mos管m7、mos管m8、mos管m9、mos管m10、mos管m11、mos管m12、mos管m13和mos管m14；

3.根据权利要求1所述的一种用于pwm信号整形的比较器，其特征在于，所述前馈单元包括电容c2、电阻r2、mos管m16和mos管m15；

4.根据权利要求1所述的一种用于pwm信号整形的比较器，其特征在于，所述mos管m18的漏极与反相器inv1的输入端电连接，反相器inv1的输出端与反相器inv2的输入端电连接。

5.根据权利要求4所述的一种用于pwm信号整形的比较器，其特征在于，还包括电压选择单元，所述电压选择单元与所述反相器inv1的输出端电连接，基于所述反相器inv1的输出端的电平状态向所述一级放大单元的输入端提供不...

【专利技术属性】
技术研发人员：戚祎，赵海，杨佳，孙园园，高红，赵健，
申请(专利权)人：无锡芯加集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：