【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件，尤其涉及一种立体氮化镓基高集成hemt及其制备方法。
技术介绍
1、gan是一种重要的宽带隙材料，具有高电子迁移率，氮化镓基高电子迁移率晶体管gan hemt(high electron mobility transistors)作为宽禁带（wbg）功率半导体器件的代表，由于高电子迁移率、高频特性以及较低的功耗等优点使得其在通信领域、射频和微波功率放大器等领域中具有广泛的应用。
2、但随着电力电子领域的飞速发展，对电子元器件的要求也更加苛刻，市场需要更高功率、更高频率以及更低功耗的氮化镓基hemt器件。然而当研究人员通过不断提升集成度和进一步减小器件尺寸等操作方法提升氮化镓基hemt器件的性能后，得到的结论是氮化镓基hemt最终通常不受材料电子特性的限制，而是受到了其衬底散热能力的限制。而正是由于热限制，相关技术中的氮化镓基hemt并未充分发挥其潜力，氮化镓基hemt工作时的散热问题成为了目前的热门话题，相关领域亟需一种散热能力强的氮化镓基hemt，以进一步提升氮化镓基hemt的集成度和大功率等性能
【技术保护点】
1.立体氮化镓基高集成HEMT，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的HEMT，其特征在于，所述立体衬底呈球体、多面体或圆柱体状。
3.根据权利要求2所述的HEMT，其特征在于，所述立体衬底呈球体状，所述球体直径为50~60μm；
4.根据权利要求2所述的HEMT，其特征在于，所述立体衬底采用金刚石或氮化硼衬底。
5.根据权利要求1所述的HEMT，其特征在于，所述互联介质层至少有多层；
6.根据权利要求5所述的HEMT，其特征在于，所述互联介质层包括第二介质层、第三介质层和第四介质层，所述互联金属包括位...
【技术特征摘要】
1.立体氮化镓基高集成hemt，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的hemt，其特征在于，所述立体衬底呈球体、多面体或圆柱体状。
3.根据权利要求2所述的hemt，其特征在于，所述立体衬底呈球体状，所述球体直径为50~60μm；
4.根据权利要求2所述的hemt，其特征在于，所述立体衬底采用金刚石或氮化硼衬底。
5.根据权利要求1所述的hemt，其特征在于，所述互联介质层至少有多层；
6.根据权利要求5所述的hemt，其特征在于，所述互联介质层包括第二介质层、第三介质层和第四介质层，所述互联金属包括位于所述第二介质层上的第一互联金属、位于所述第三介质层上的第二互联金属和位于所述第四介质层上的第三互联金属；
7.根据权利要求5所述的hemt，其特征在于，所述第一介质层的材料为al...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘新科，杨永凯，黄烨莹，蒋忠伟，黎晓华，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：
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