【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子领域，特别是涉及一种检测晶体管漏源电流的检测器件、检测方法及电流检测电路。
技术介绍
1、晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，其具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，被广泛应用与各种电路中。
2、由于一个电路中的晶体管工作时的电流在一定程度上能够反映整个电路的状态，因此电路设计人员往往通过检测晶体管的电流对电路的状态加以判断。然而，由于晶体管具备独特的电压电流变化特性，导致常规的电阻等检测器件并不能很好的表征检测晶体管的电流。
3、现有技术中，为了更稳定地检测漏源不对称型的晶体管，通常是串联多个与待检测晶体管同种类型的晶体管作为检测器件，将待检测晶体管工作的漏源电压采样施加到检测器件上，在检测器件上产生能表征待检测晶体管漏源电流的检测电流。
4、这种方式，由于使用了与待检测晶体管同种类型的晶体管作为检测器件，因此检测器件的电压电流变化特性和待检测晶体管一致，能够稳定准确地表征检测待检测晶体管漏源电流；同时通过串联多个与待检测晶体管同种类型的晶体管作为检...
【技术保护点】
1.一种检测晶体管漏源电流的检测器件，所述晶体管为漏源不对称型晶体管，所述检测器件被配置为在所述晶体管导通时在所述检测器件上产生表征所述晶体管漏源电流的检测电流，其特征在于，所述检测器件为漏源不对称型晶体管或漏源对称型晶体管，所述检测器件的任意一漏端或源端为器件的正极，所述检测器件的任意另一漏端或源端为器件的负极，所述检测电流从正极流向负极。
2.一种晶体管漏源电流的检测方法，所述晶体管为漏源不对称型晶体管，使用权利要求1所述的检测晶体管漏源电流的检测器件，所述检测器件被配置为在所述晶体管导通时在所述检测器件上产生表征所述晶体管漏源电流的检测电流，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种检测晶体管漏源电流的检测器件，所述晶体管为漏源不对称型晶体管，所述检测器件被配置为在所述晶体管导通时在所述检测器件上产生表征所述晶体管漏源电流的检测电流，其特征在于，所述检测器件为漏源不对称型晶体管或漏源对称型晶体管，所述检测器件的任意一漏端或源端为器件的正极，所述检测器件的任意另一漏端或源端为器件的负极，所述检测电流从正极流向负极。
2.一种晶体管漏源电流的检测方法，所述晶体管为漏源不对称型晶体管，使用权利要求1所述的检测晶体管漏源电流的检测器件，所述检测器件被配置为在所述晶体管导通时在所述检测器件上产生表征所述晶体管漏源电流的检测电流，其特征在于，所述方法包括：
3.一种电流检测电路，用于检测晶体管的电流，所述晶体管为h桥的下晶体管，其特征在于，包括：权利要求1所述的检测晶体管漏源电流的检测器件。
4.根据权利要求3所述的电流检测电路，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的电流检测电路，其特征在于，还包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：宫志超，
申请(专利权)人：苏州晓玮科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。