【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于无机材料制备,具体涉及一种丝状纳米氧化镓及其制备方法。
技术介绍
1、在氧化物半导体中,氧化镓(ga2o3)有着极高的研究价值,氧化镓是一种ⅲ-ⅵ族材料,带隙在4.7-5.2ev范围内,此外,氧化镓的超宽带隙使其吸收截止边缘(260-280nm)正好在28nm左右,使其能更好的探测日盲紫外光。同时,氧化镓还具有吸收截止边短,生产成本低等突优点。氧化镓开发的器件具有较小的传导损耗和较高的功率转换速率,且有着8mv/cm的高击穿电场,在高压大功率器件中具有良好的应用前景,已成为关键高性能器件研究的核心材料之一,而优异氧化镓器件的制备大多是由性能良好的氧化镓粉末制备而来。
2、目前常见的制备氧化镓粉末的方法有水热法、沉淀法、电化学沉积法、高温氧化法、水解法等,同时制备出的氧化镓形状也各异。现有的技术公开了一些不同形状的氧化镓的制备方法,如专利cn107010654a中采用4n的高纯镓作为主要原料,用硝酸溶解,沉淀剂采用浓氨水,经过沉淀、洗涤、烘干、煅烧制备而得到氧化镓粉末,其所制备的氧化镓粉末形状为椭球状。专利cn1
...【技术保护点】
1.一种丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,步骤如下:
2.根据权利要求1所述的丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中镓盐溶液中镓离子浓度为0.1-0.6mol/L。
3.根据权利要求2所述的丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中碳酸氢钠溶液的浓度为0.5-2mol/L。
4.根据权利要求3所述的丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中滴加的具体过程为:在搅拌的条件下,滴加碳酸氢钠溶液,当溶液中出现白色絮状物时控制沉淀反应温度为60-70℃,待溶液pH为6-7时停止滴加,保温2-3h,
...【技术特征摘要】
1.一种丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,步骤如下:
2.根据权利要求1所述的丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中镓盐溶液中镓离子浓度为0.1-0.6mol/l。
3.根据权利要求2所述的丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中碳酸氢钠溶液的浓度为0.5-2mol/l。
4.根据权利要求3所述的丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中滴加的具体过程为:在搅拌的条件下,滴加碳酸氢钠溶液,当溶液中出现白色絮状物时控制沉淀反应温度为60-70℃,待溶液ph为6-7时停止滴加,保温2-3h,随后控制沉淀温度为30-40℃,继续滴加碳酸氢钠溶液直至ph为7-9,停止滴加并保温2-3h;室温老化的时间为15-30h。
5.根据权利要求4所述的丝状纳米氧化镓的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中洗涤、离心的具体过程为先用纯...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈杰,岳康伟,刘苗,孙本双,何季麟,
申请(专利权)人:郑州大学,
类型:发明
国别省市:
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