一种太阳电池的栅线制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，提出了一种太阳电池的栅线制备方法，包括以下步骤：在含氮化硅层的N型硅片的开槽口处沉积碳纳米管与钝化材料的混合溶液，形成薄膜后，再在开槽口处电镀铜栅线，得到电池片。通过上述技术方案，解决了现有技术中的硅太阳能电池中电镀铜时存在附着性不佳导致电池光电性能较差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，具体的，涉及一种太阳电池的栅线制备方法。

技术介绍

1、目前，高性能硅太阳电池以隧穿氧化层钝化接触（topcon）电池为代表，其顶部结构自上至下依次为银栅线、氮化硅钝化层、氧化铝钝化层、p+型硅和n型硅。其中，银栅线作为电极，收集硅pn结处分离的光生载流子。这一过程中，为了防止载流子经过硅表面被表面缺陷复合，必须制备氧化铝和氮化硅薄层，以钝化这些表面缺陷。但是，氮化硅导电性极差，阻碍载流子输运。为了保证电极可以收集下层输运来的载流子，需要通过烧结技术，使银栅线部分地渗入氮化硅以下，同时，为了改善银浆的烧结温度和流动性，还需要金属铅的辅助。因此，烧结银栅线的工艺需要精确控制各项参数，比较复杂，且考虑到银的稀缺性，高质量银浆料的材料成本高达topcon非硅制造成本的30%。为了降低成本，同时保持电池性能，以铜替代银的技术方案近年来受到广泛关注。

2、然而，铜的烧结温度远高于银，且高温下容易氧化，因此，银的烧结工艺并不适用于铜。更加可行的策略是使用激光在氮化硅表面开槽，再通过电镀的方式，在槽口制备铜栅线。不过，这种方式同样存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在含氮化硅层的N型硅片的开槽口处沉积碳纳米管与钝化材料的混合溶液，形成薄膜后，再在所述开槽口处电镀铜栅线，得到电池片。

2.根据权利要求1所述的一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，所述碳纳米管与钝化材料的质量比为1:30~50。

3.根据权利要求1所述的一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，所述混合溶液的溶剂为水、乙醇、甲醇、异丙醇、DMSO、丙酮、DMF、甲苯中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，所述碳纳米管和溶剂的质量体积比为0.5~2mg/mL。...

【技术特征摘要】

1.一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在含氮化硅层的n型硅片的开槽口处沉积碳纳米管与钝化材料的混合溶液，形成薄膜后，再在所述开槽口处电镀铜栅线，得到电池片。

2.根据权利要求1所述的一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，所述碳纳米管与钝化材料的质量比为1:30~50。

3.根据权利要求1所述的一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，所述混合溶液的溶剂为水、乙醇、甲醇、异丙醇、dmso、丙酮、dmf、甲苯中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，所述碳纳米管和溶剂的质量体积比为0.5~2mg/ml。

5.根据权利要求3所述的一种太阳电池的栅线制备方法，其特征在于，所述混...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨德华，陈剑辉，白钰骅，高青，张旭宁，陈兵兵，郭静，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：