碳化硅多孔陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将碳化硅粉末、氧化铝粉末和磷酸混合均匀，得到原料A，将原料A和聚乙烯醇粘结剂混合均匀，得到陶瓷浆料，将所述陶瓷浆料于75～85℃保温30～150秒，得到陶瓷前驱体；将所述陶瓷前驱体于微波炉中升温至T1℃并于T1℃保温25～30min，再升温至T2℃并于T2℃保温30～50min，得到碳化硅多孔陶瓷，其中，T1＝500～600，T2＝1200～1350。氧化铝能与磷酸在高温下反应形成具有耐高温、高强度、热膨胀系数小、化学稳定性良好的无机磷酸铝，既能用作粘合剂，又能承当烧结助剂来增强碳化硅陶瓷基体，通过此配方制备的碳化硅多孔陶瓷，孔隙率高晶界纯净，无其他杂质相。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅陶瓷制备，具体来说涉及一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。

技术介绍

1、多孔材料是一种新型的结构—功能一体化的材料，具有相对较低的密度、高的比强度、高比表面积和良好的渗透性等优点，得到了广泛的关注和应用。碳化硅多孔陶瓷可具有较高的连通孔隙率，且在一定程度上保持了碳化硅陶瓷的本质，具有低密度、高比表面、高通透性、高温稳定性及良好的抗热震性、高化学稳定性、长使役寿命等优良特性，因此适合于高温、腐蚀、氧化的环境。

2、碳化硅(sic)是一种人造的无机非金属材料，属于强共价键化合物，高温扩散系数非常低，即使在2100℃的高温下，si和c的自扩散系数也仅为仅为2.5×10-13cm2/s和1.5×10-10cm2/s，因此必须借助烧结助剂、外部压力等方法才能实现致密化。碳化硅陶瓷的无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、反应烧结以及自蔓延烧结技术，这些现有技术在制备过程中为了克服烧结活性低的缺点，往往使用大量烧结助剂，使得产品纯度不高，且耐高温性受限，破坏了碳化硅陶瓷的优异性能。这些因素均制约了碳化硅多孔陶瓷在工业领域的发展。因此，有必要开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述碳化硅粉末的平均粒径为120～140μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所述搅拌为80～95℃搅拌8～10h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述搅拌的转速为550～650r/min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，按质量份数计，聚乙烯醇和去离子水的比为(10～14)：(86～90)。

6.根据权利要求1所述的制备方...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述碳化硅粉末的平均粒径为120～140μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所述搅拌为80～95℃搅拌8～10h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述搅拌的转速为550～650r/min。

5.根据权利要求1所述的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智勇，邢祥源，陈静静，董辰龙，王达健，赵阳，李安东，王超，王鑫，李佳明，王轩宇，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：