【技术实现步骤摘要】
本技术涉及高纯氧化镓的制备,尤其涉及一种高纯氧化镓碳化装置。
技术介绍
1、氧化镓是一种新型的宽禁带半导体材料,具有良好的导电性能和发光特性。氧化镓还能通过掺杂不同的稀土元素获得多种电致发光材料,是目前制备高温气体传感器及日盲紫外探测器最佳的单相材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景。
2、作为第四代半导体材料,氧化镓其主要是以晶圆、单晶的形式使用,这类氧化镓单晶的制备对原料氧化镓粉体的纯度要求极高。因此,制备粒径均匀、单分散的高纯氧化镓粉体原料是解决这类氧化镓单晶生产周期长、经济成本高的重要手段之一。目前高纯氧化镓粉体的制备主要有水热法、电解法、沉淀法以及氧化熔融金属法等。水热法需要高温高压,工业化设备成本高;电解法制备氧化镓粉体电解时间通常在30h以上,电耗极高;氧化熔融金属法使用了高压气体为原料,生产安全性较低;沉淀法是工业上较普遍的生产方式,但是目前沉淀法中极易引进杂质元素导致氧化镓的纯度不高。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种高纯氧化镓
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高纯氧化镓碳化装置,其特征在于:包括碳化反应炉,所述碳化反应炉设置有用于输入气体的气体输送装置、用于向反应炉注入液体的液体注入装置、用于对反应炉进行搅拌的机械搅拌装置、与计算机连接并用于实时监测反应炉内液体环境pH值的pH值在线监测系统、用于收集含镓沉淀物的沉镓收集装置、底板支撑装置和顶盖;所述碳化反应炉底端可拆卸地安装在所述底部支撑装置上,所述顶盖安装在所述碳化反应炉顶部;所述沉镓收集装置安装在所述碳化反应炉底部。
2.根据权利要求1所述的高纯氧化镓碳化装置,其特征在于:所述液体注入装置包括连接有蠕动泵的镓原液注入装置和连接有蠕动泵的分散剂料液注
...
【技术特征摘要】
1.一种高纯氧化镓碳化装置,其特征在于:包括碳化反应炉,所述碳化反应炉设置有用于输入气体的气体输送装置、用于向反应炉注入液体的液体注入装置、用于对反应炉进行搅拌的机械搅拌装置、与计算机连接并用于实时监测反应炉内液体环境ph值的ph值在线监测系统、用于收集含镓沉淀物的沉镓收集装置、底板支撑装置和顶盖;所述碳化反应炉底端可拆卸地安装在所述底部支撑装置上,所述顶盖安装在所述碳化反应炉顶部;所述沉镓收集装置安装在所述碳化反应炉底部。
2.根据权利要求1所述的高纯氧化镓碳化装置,其特征在于:所述液体注入装置包括连接有蠕动泵的镓原液注入装置和连接有蠕动泵的分散剂料液注入装置。
3.根据权利要求1所述的高纯氧化镓碳化装置,其特征在于:所述机械搅拌装置包括步进电机和搅拌桨;所述步进电机安装在所述顶盖上,所述步进电机的输出端贯穿所述顶盖并与所述搅拌桨传动连接,所述搅拌桨上安装有搅拌叶片。
4.根据权利要求3所述的高纯氧化镓碳化装置,其特征在于:所述搅拌叶片设置有三个,由下而上分别布置在所述搅拌桨的不同位置。
5.根据权利要求1所述的高纯氧化镓碳化装置,其特征在于:所述沉镓收集装置包括球形角阀和圆形...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶进长,张魁芳,曹洪杨,高远,蒋玉思,张伟,胡凯,高艳芬,郑莉莉,
申请(专利权)人:广东省科学院资源利用与稀土开发研究所,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。