【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中提供的实施例公开了一种多束装置，并且更具体地，公开了使用交叉模式进行缺陷的电压对比度检查的具有增强的束波探测电流的多束检查装置。
技术介绍
1、在集成电路(ic)的制造过程中，对未完成或已完成的电路组件进行检查，以确保它们是根据设计而制造的并且没有缺陷。可以使用检查系统，该检查系统利用光学显微镜或带电粒子(例如，电子)束显微镜，诸如扫描电子显微镜(sem)。随着ic组件的物理尺寸不断缩小，缺陷检测的准确性和良率变得更加重要。尽管可以使用多个电子束来增加生产量，但是每个束波的探测电流可能不足以用于vnand或3d-nand结构中的电压对比度检查，这使得检查装置效率低下，或者在某些情况下不足以用于其期望目的。
技术实现思路
1、本公开的一个方面涉及一种用于检查样品的多带电粒子束装置。该装置可以包括被配置为生成沿着主光轴的多个带电粒子束的带电粒子源；被配置为聚焦多个带电粒子束以在交叉点处形成束交叉的第一会聚透镜；以及被配置为准直所聚焦的多个带电粒子束的第二会聚透镜，其中交叉点相对于主光轴形...
【技术保护点】
1.一种多带电粒子束装置，包括：
2.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述第一会聚透镜包括第一静电透镜或第一电磁透镜。
3.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述交叉点的位置是基于所述第一会聚透镜的激励而可调节的。
4.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述第一会聚透镜沿着第一主平面设置，所述第一主平面基本垂直于所述主光轴。
5.根据权利要求4所述的多带电粒子束装置，其中所述交叉点的位置是沿着所述主光轴基于所述第一主平面的位置而可调节的。
6.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种多带电粒子束装置，包括：
2.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述第一会聚透镜包括第一静电透镜或第一电磁透镜。
3.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述交叉点的位置是基于所述第一会聚透镜的激励而可调节的。
4.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述第一会聚透镜沿着第一主平面设置，所述第一主平面基本垂直于所述主光轴。
5.根据权利要求4所述的多带电粒子束装置，其中所述交叉点的位置是沿着所述主光轴基于所述第一主平面的位置而可调节的。
6.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述第二会聚透镜包括第二静电透镜或第二电磁透镜。
7.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述交叉点的位置是基于所述第一会聚透镜和所述第二会聚透镜的组合激励而可调节的。
8.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其中所述第二会聚透镜的激励基于所述第一会聚透镜的激励而确定。
9.根据权利要求1所述的多带电粒子束装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：季晓宇，任伟明，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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