包括阳极多孔氧化物区域的集成装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了包括阳极多孔氧化物区域的集成装置及其制造方法。制造包括阳极多孔氧化物区域的集成装置的方法包括：在基板上形成金属阳极氧化屏障层；使该金属阳极氧化屏障层平坦化；在平坦化的金属阳极氧化屏障层(201P)上形成可阳极氧化金属层；使该可阳极氧化金属层平坦化；对平坦化的可阳极氧化金属层进行阳极氧化以获得阳极多孔氧化物区域(203)，该阳极多孔氧化物区域(203)包括从阳极多孔氧化物区域的顶表面朝向金属阳极氧化屏障层延伸的多个基本上直的孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成领域，并且更具体地涉及包括阳极多孔氧化物的电气装置及其制造方法，以及涉及制造包括具有有限粗糙度的阳极多孔氧化物的集成装置的方法。

技术介绍

1、硅无源集成技术如今可用于工业设计。例如，由村田集成无源解决方案(murataintegrated passive solutions)开发的pics技术允许将高密度电容部件集成至硅基板中。根据该技术，可以将数十个或者甚至数百个无源部件有效地集成至硅管芯中。

2、例如，在p.banerjee等人的题为“nanotubular metal-insulator-metalcapacitor arrays for energy storage(用于能量存储的纳米管金属-绝缘体-金属电容器阵列)”(2009年5月在natural technology(自然技术)中发表)的研究中，描述了在诸如多孔阳极氧化铝(paa)的多孔阳极材料中形成的金属-绝缘体-金属(mim)结构。金属、绝缘体以及然后金属的连续层遵循多孔材料的轮廓，致使mim结构被嵌入在多孔材料的孔的内部。然而，banerjee的paa嵌入本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造包括阳极多孔氧化物区域的集成装置的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，包括：对所述金属阳极氧化屏障层进行图案化以获得至少两个分开的金属阳极氧化屏障部分(201A，201B)；以及形成将所述至少两个金属阳极氧化屏障部分分开的绝缘区域，

3.根据权利要求2所述的方法，包括：在所述至少两个金属阳极氧化屏障部分之间以及在所述至少两个金属阳极氧化屏障部分上沉积绝缘材料的层(204)，并且其中，使所述金属阳极氧化屏障层平坦化包括去除沉积在所述至少两个金属阳极氧化屏障部分上方的绝缘材料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，使...

【技术特征摘要】

1.一种制造包括阳极多孔氧化物区域的集成装置的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，包括：对所述金属阳极氧化屏障层进行图案化以获得至少两个分开的金属阳极氧化屏障部分(201a，201b)；以及形成将所述至少两个金属阳极氧化屏障部分分开的绝缘区域，

3.根据权利要求2所述的方法，包括：在所述至少两个金属阳极氧化屏障部分之间以及在所述至少两个金属阳极氧化屏障部分上沉积绝缘材料的层(204)，并且其中，使所述金属阳极氧化屏障层平坦化包括去除沉积在所述至少两个金属阳极氧化屏障部分上方的绝缘材料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，使所述金属阳极氧化屏障层平坦化和/或使所述可阳极氧化金属层平坦化包括达到小于包括在1nm与10nm之间的平均表面粗糙度的表面粗糙度和/或小于30nm的最大峰谷高度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，对所述可阳极氧化金属层进行阳极氧化包括执行对整个可阳极氧化金属层的阳极氧化。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，包括：在所述阳极氧化之前形成具有开口的阳极氧化掩模，以获得在所述开口下、被由所述阳极氧化掩模覆盖的未阳极氧化的金属围绕的多孔区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过所述阳极氧化掩模的开口借助于电抛光来执行使所述可阳极氧化金属层平坦化。

8.根据权利要求6所述的方法，包括：沉积初始可阳极氧化金属层；在所述阳极氧化之前形成具有开口的阳极氧化掩模，所述开口通至所述初始可阳极氧化金属层上；沉积可阳极氧化金属材料的填充部分以获得所述可阳极氧化金属层，并且其中，使所述可阳极氧化金属层平坦化通过化学机械抛光来执行。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述可阳极氧化金属层包括：在初步可阳极氧化金属层中形成凹槽以获得所述可阳极氧化金属层；利用阳极氧化掩模填充所述凹槽，并且其中，使所述可阳极氧化金属层平坦化通过化学机械抛光来执行。

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【专利技术属性】
技术研发人员：布丽吉特·苏利耶，苏菲·阿尚博，弗雷德里克·瓦龙，佛洛里安·鲍丁，塞巴斯蒂安·多明戈斯，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：