电路布置结构、电能存储器和设备制造技术

本发明专利技术涉及一种电路布置结构(1)，其尤其用于电能存储器，其中，电路布置结构(1)具有带有相应的电导体(4)的至少两个切换元件(S1、S2、S3、S4)并且具有磁场传感器(3)，其中，磁场传感器(3)设立用于，对由切换元件(S1、S2、S3、S4)和/或相应的电导体(4)所发射的磁场进行检测，其中，磁场是来自由切换元件(S1、S2、S3、S4)和/或相应的电导体(4)所发射的相应磁场(H1)的叠加磁场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路布置结构、一种电能存储器和一种设备。

技术介绍

1、us10,782,350b2公开了用于切换元件的故障诊断的一种设备和一种方法。

2、cn 204882706 u示出了一种具有自诊断的工业监测技术。

3、cn 113295991 a公开了基于高压功率开关的控制回路的阻抗的一种故障分析方法和一种故障分析设备。

技术实现思路

1、就尤其用于电能存储器的电路布置结构而言，本专利技术的核心在于，电路布置结构具有带有相应的电导体的至少两个切换元件并且具有磁场传感器，其中，磁场传感器设立用于，对由切换元件和/或相应的电导体所发射的磁场进行检测，其中，磁场是来自由切换元件和/或相应的电导体所发射的相应的磁场的叠加磁场。

2、本专利技术的背景是，借助于唯一的磁场传感器能够监测多个切换元件。在此能够确定出哪个切换元件具有变化并且这种变化是何种类型。由此能够实现有针对性的故障响应。例如能够降低切换元件的切换频率或电流流动。由此能够阻止切换设备的全部失效。

3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.电路布置结构(1)，其尤其用于电能存储器，其特征在于，所述电路布置结构(1)具有带有相应的电导体(4)的至少两个切换元件(S1、S2、S3、S4)并且具有磁场传感器(3)，其中，所述磁场传感器(3)设立用于，对由所述切换元件(S1、S2、S3、S4)和/或相应的电导体(4)所发射的磁场进行检测，其中，所述磁场是来自由所述切换元件(S1、S2、S3、S4)和/或所述相应的电导体(4)所发射的相应的磁场(H1、H2、H3、H4)的叠加磁场。

2.根据权利要求1所述的电路布置结构(1)，其特征在于，借助于所述磁场能够识别出至少一个切换元件(S1、S2、S3、S4)的故障状况。<...

【技术特征摘要】

1.电路布置结构(1)，其尤其用于电能存储器，其特征在于，所述电路布置结构(1)具有带有相应的电导体(4)的至少两个切换元件(s1、s2、s3、s4)并且具有磁场传感器(3)，其中，所述磁场传感器(3)设立用于，对由所述切换元件(s1、s2、s3、s4)和/或相应的电导体(4)所发射的磁场进行检测，其中，所述磁场是来自由所述切换元件(s1、s2、s3、s4)和/或所述相应的电导体(4)所发射的相应的磁场(h1、h2、h3、h4)的叠加磁场。

2.根据权利要求1所述的电路布置结构(1)，其特征在于，借助于所述磁场能够识别出至少一个切换元件(s1、s2、s3、s4)的故障状况。

3.根据前述权利要求中任一项所述的电路布置结构(1)，其特征在于，借助于所述磁场能够确定出通过所述切换元件(s1、s2、s3、s4)的电流。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电路布置结构(1)，其特征在于，所述电路布置结构(1)具有至少一个电流传感器。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电路布置结构(1)，其特征在于，所述切换元件(s1、s2、s3、s4)并联联接地布置，尤其其中，借助于唯一的切换信号能够控制所述切换元件(s1、s2、s3、s4)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电路布置结构(1)，其特征在于，所述切换元件(s1、s2、s3、s4)实施为电子切换元件、尤其实施为半导体开关、尤其实施为金属氧化物半导体场效应晶体管开关，尤其其中，所述切换元件(s1...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·沃尔夫，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：