存储芯片、存储芯片控制方法和存储系统技术方案

本公开实施例属于存储技术领域，特别涉及一种存储芯片、存储芯片控制方法和存储系统，其中，存储芯片包括多个存储单元，每个存储单元包括双向阈值开关OTS和存储介质，OTS具有阈值转变电压，根据阈值转变电压对存储单元施加读写电压以对存储介质进行读写操作。该控制方法包括：当侦测到预设条件时，对多个存储单元中的第一存储单元施加复位电压，当多个存储单元中的第一存储单元为处于低阻状态的存储单元时，复位电压开启第一存储单元的OTS，以使第一存储单元的OTS的阈值转变电压降低。采用本公开能够降低读取存储单元的出错概率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及存储，特别涉及一种存储芯片、存储芯片控制方法和存储系统。

技术介绍

1、相变存储芯片中的单一选通管单一电阻器(one selector one resistor，1s1r)存储单元由一个相变存储器(phase change memory，pcm)和一个双向阈值开关(ovonicthresholdswitch，ots)组成。

2、1s1r存储单元在存储“0”时，1s1r存储单元具有较高的阈值电压，1s1r存储单元在存储“1”时，1s1r存储单元具有较低的阈值电压。因此，可以通过检测1s1r存储单元的阈值电压，确定1s1r存储单元中存储的数据。

3、1s1r存储单元的阈值电压与pcm的阈值电压以及ots的阈值转换电压相关，pcm的阈值电压或ots阈值转换电压的改变都会影响1s1r存储单元的阈值电压。

4、ots的阈值转换电压具有明显的漂移现象，如每次对1s1r存储单元进行读写操作后，ots的阈值转换电压都会有一个明显的下降，且在较长的时间内无法恢复，如一般恢复需要几个小时甚至几天。如此，ots的阈值转换电压漂移现象本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储芯片的控制方法，其特征在于，应用于存储芯片，所述存储芯片包括多个存储单元，每个存储单元包括双向阈值开关OTS和存储介质，所述OTS具有阈值转变电压，根据所述阈值转变电压对所述存储单元施加读写电压以对所述存储介质进行读写操作；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复位电压大于所述存储芯片的读电压。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述侦测到预设条件包括侦测到预设的时间，所述预设的时间为指定的时间间隔到达后的时间。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设条件为侦测到复位请求。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种存储芯片的控制方法，其特征在于，应用于存储芯片，所述存储芯片包括多个存储单元，每个存储单元包括双向阈值开关ots和存储介质，所述ots具有阈值转变电压，根据所述阈值转变电压对所述存储单元施加读写电压以对所述存储介质进行读写操作；

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复位电压大于所述存储芯片的读电压。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述侦测到预设条件包括侦测到预设的时间，所述预设的时间为指定的时间间隔到达后的时间。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设条件为侦测到复位请求。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一存储单元为所述存储芯片所包括的所有存储单元。

6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一存储单元为所述存储芯片所包括的部分存储单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一存储单元为所述存储芯片中统计的在指定时间内进行读操作和写操作次数小于次数阈值的存储单元。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一存储单元为所述存储芯片中在指定时长内未进行过读操作和写操作的存储单元。

9.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括外围电路和多个存储单元，所述外...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，王成旭，童浩，谭海波，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：