成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置，能够减少升华部的更换频度。升华部(50)使包含选自钨、钼及钽中的至少一种的母材(70)含有选自氧化镧、氧化铈、氧化钇及氧化钍中的至少一种的物质(71)。在升华部(50)中，对于母材(70)含有作为氧化物的物质(71)，因此该物质(71)作为氧化被膜发挥作用。因此，能够抑制母材(70)氧化而升华。并且，如图3中的(b)所示，升华部(50)随着消耗而不断出现新的物质(71)的被膜，因此氧化抑制效果持续。在图3中的(b)中，升华部(50)的“E1”所示的区域被消耗，但在新的表面上也存在物质(71)。因此，通过抑制升华部(50)的消耗，能够减少升华部(50)的更换频度。

【技术实现步骤摘要】

本申请主张基于2022年12月22日申请的日本专利申请第2022-205270号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种成膜装置。

技术介绍

1、作为成膜装置，如专利文献1中所记载的那样，已知一种通过离子镀法使成膜材料形成在对象物上的成膜装置。该成膜装置使用等离子枪在腔室内生成等离子体，并在腔室内使成膜材料升华。通过成膜材料附着在基板上并持续堆积，由此在该基板上生长并形成膜。

2、专利文献1：日本特开平11-279751号公报

3、在此，上述成膜装置具备使成膜材料升华的升华部。在对绝缘性材料进行成膜的情况下，这种升华部由钨等高熔点金属形成。然而，虽然通过在氧气氛下的高温加热来产生氧化钨(wo3)，但由于该氧化钨具有升华性，因此随着成膜而升华部被消耗。在以往的成膜装置中，存在由于升华部提前被消耗而导致更换频度增加这样的问题。

技术实现思路

1、因此，本专利技术的课题在于提供一种能够减少升华部的更换频度的成膜装置。

2、本专利技术所涉及的成膜装本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种成膜装置，其通过离子镀法使成膜材料形成在对象物上，其中，

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

【技术特征摘要】

1.一种成膜装置，其通过离子镀法使成膜材料形成在对象物上，其中，

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田悠悟，木下公男，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：