【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件。
技术介绍
1、相关技术中，通常需要通过掩膜的方式形成图案化的掺杂多晶硅层，导致太阳能电池的制造效率较低。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对通常需要通过掩膜的方式形成图案化的掺杂多晶硅层，导致太阳能电池的制造效率较低的问题，提供一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件。
2、根据本申请的第一方面，提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：
3、提供基底；其中，所述基底具有相背设置的第一表面和第二表面；定义所述第一表面和所述第二表面中的其中之一为目标表面；
4、在所述基底的所述目标表面上形成第一隧穿层；
5、在所述第一隧穿层背离所述目标表面的一侧形成初始多晶硅层；
6、在所述初始多晶硅层背离所述第一隧穿层的一侧形成掺杂源层；
7、采用激光以第一预设图案对所述掺杂源层进行图案化处理，以使所述初始多晶硅层对应于所述第一预设图案的第一部分转化...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述图案化处理的工艺参数包括：
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述基底具有第一导电类型；所述掺杂源层包括第二导电类型的第一掺杂原子；
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一隧穿层未被所述第一掺杂多晶硅层覆盖的部分，具体包括：
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述图案化处理的工艺参数包括：
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述基底具有第一导电类型；所述掺杂源层包括第二导电类型的第一掺杂原子；
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一隧穿层未被所述第一掺杂多晶硅层覆盖的部分，具体包括：
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掺杂源层的材料包括硼硅玻璃，所述去除所述掺杂源层，具体包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，杨楠楠，张彼克，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：
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