射频开关器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种射频开关器件及其形成方法，包括：从射频输入端到地端之间依次串联的N级晶体管堆栈。基底上形成有栅极结构；调整金属层包括第一调整金属层和第二调整金属层；在沿栅极结构的延伸方向上，从第一级到第N级的各级晶体管堆栈的第一调整金属层在各自漏金属层上的投影覆盖漏金属层的面积逐渐减小，且从第一级到第N级的各级晶体管堆栈的第二调整金属层在各自源金属层上的投影覆盖源金属层的面积逐渐减小。如此一来，从第一级到第N级的各级晶体管堆栈的源金属层与漏金属层之间寄生电容逐渐减小；从而减小靠近射频输入端的晶体管堆栈的分压，使得整体电压分布均匀，射频开关器件总的射频击穿电压特性得到了改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路制造，具体涉及一种射频开关器件及其形成方法。

技术介绍

1、射频开关器件是一种重要的开关器件，属于通讯领域信号的开关，可应用于有线传输射频信号。射频开关器件包括多级依次串联耦接的晶体管堆栈，可用于天线调谐以及其它各种射频(rf)开关应用的无源组件。晶体管堆栈配置允许很多功能，包括电压和功率处理能力。例如，fet(场效应晶体管)堆栈可以被用来允许rf开关在失配的情况下经受高功率。多级依次串联耦接的晶体管堆栈中，各级晶体管堆栈的电压分布是不均匀的，尤其靠近射频输入端的两级晶体管堆栈分压最大，所以电压击穿会首先发生在靠近射频输入端的两级晶体管堆栈上。因此，射频开关器件，存在多级晶体管堆栈之间的电压偏置分布不平衡的问题，而电压偏置分布不平衡又会进一步影响射频开关器件的功率处理能力。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种射频开关器件及其形成方法，通过第一调整金属层和第二调整金属层的设置，使从第一级到第n级的各级晶体管堆栈的源金属层与漏金属层之间寄生电容逐渐减小；靠近射频输入端的晶体管堆栈本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，

3.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

4.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

5.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

6.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

7.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

8.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

9.如权利要求8所述的射频开关器件，其特征在于，

10.如权利要求8所述的射频开关器件，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，

3.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

4.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

5.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

6.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

7.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

8.如权利要求2所述的射频开关器件，其特征在于，

9.如权利要求8所述的射频开关器件，其特征在于，

10....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：