【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及电子电路，并且具体地涉及同一电子电路的nmos和pmos晶体管的制造。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管或mosfet是包括导电的晶体管，该导电栅极区域通过被称为栅极氧化物或栅极绝缘体的介电层，与通常由硅制成的半导体衬底或与形成在半导体衬底中的阱电绝缘，该栅极区域覆盖包括源极区域、漏极区域以及源极区域与漏极区域之间的沟道形成区域的有源区。mosfet可以利用术语mos晶体管来标示。
2、n沟道mos晶体管或nmos晶体管标示具有n型掺杂源极和漏极区域的晶体管，例如掺杂有砷或磷原子的晶体管。p沟道mos晶体管或pmos晶体管标示具有p型掺杂源极和漏极区域的晶体管，例如掺杂有硼或铟原子的晶体管。
3、mos晶体管可能会经受位错现象。位错是在半导体衬底中延伸的缺陷，特别是在该衬底由单晶硅制成时。当其位于源极区域与漏极区域之间时，这种位错极强烈地影响晶体管的功能性，特别是导致晶体管在关断状态(关断电流)下的极高电流，这甚至能够造成晶体管的电阻行为。
4、通常，位错表现为在硅中以间隙结...
【技术保护点】
1.一种包括多个晶体管的电子电路，所述电子电路包括：
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述半导体衬底的所述第一表面的顶部有所述至少一个第一MOS晶体管和所述至少一个第二MOS晶体管的栅极区域，每个栅极区域通过栅极绝缘体层与所述半导体衬底绝缘。
3.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个第一绝缘区域和所述至少一个第二绝缘区域是浅沟槽绝缘。
4.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个第一绝缘区域和所述至少一个第二绝缘区域彼此相邻。
5.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第一深度大于或等于并且所述第二
【技术特征摘要】
1.一种包括多个晶体管的电子电路，所述电子电路包括：
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述半导体衬底的所述第一表面的顶部有所述至少一个第一mos晶体管和所述至少一个第二mos晶体管的栅极区域，每个栅极区域通过栅极绝缘体层与所述半导体衬底绝缘。
3.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个第一绝缘区域和所述至少一个第二绝缘区域是浅沟槽绝缘。
4.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述至少一个第一绝缘区域和所述至少一个第二绝缘区域彼此相邻。
5.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第一深度大于或等于并且所述第二深度小于
6.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述多个晶体管当中的至少一个晶体管的所述栅极区域包括至少一个反向掺杂区，所述至少一个反向掺杂区的导电类型与所述至少一个晶体管的导电类型相反，所述至少一个反向掺杂区的位置和尺寸被设定成使所述至少一个晶体管的驼峰效应减弱，所述至少一个反向掺杂区被定位于所述至少一个晶体管的所述栅极区域与所述有源区之间的重叠区的水平。
7.根据权利要求6所述的电子电路，其中所述至少一个晶体管是所述至少一个第一mos晶体管。
8.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第一导电类型是n型，每个第一mos晶体管是nmos晶体管，并且所述第二导电类型是p型，每个第二mos晶体管是pmos晶体管。
9.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·阿拉扎特，C·里韦罗，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。