一种银掺杂的复合光催化剂及其制备方法和应用技术

技术编号：41843480 阅读：31 留言：0更新日期：2024-06-27 18:23

本发明专利技术公开了一种银掺杂的复合光催化剂及其制备方法和应用，属于温室气体处理技术领域，本发明专利技术在CuInS<subgt;2</subgt;纳米片的合成过程中原位掺杂Ag单原子，制备得到银掺杂的复合光催化剂，通过在CuInS<subgt;2</subgt;的合成过程中掺杂不同量贵金属Ag原位引入Ag单原子，CuInS<subgt;2</subgt;作为一种具有优异可见光响应能力的催化剂，在与贵金属Ag结合后，CuInS<subgt;2</subgt;中的光生电子更倾向于从CuInS<subgt;2</subgt;定向转移到Ag，极大地增强了光生电荷的分离和转移能力，催化剂显著提高了二氧化碳光还原反应活性，制备得到的Ag掺杂量的复合光催化剂的稳定性好。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于温室气体处理，特别是涉及一种银掺杂的复合光催化剂及其制备方法和应用。

技术介绍

1、

2、作为一种传统的温室气体治理技术，光催化二氧化碳还原法是目前二氧化碳治理的主要技术之一，该技术是将污染物气体通过催化剂床层，在常温下将气体定向、高效的转化为高附加值的碳氢化合物。通过加入催化剂，改变了反应历程，降低了反应的活化能，不仅有助于“人工碳循环”目标的实现以解决日益恶化的环境问题，也有望缓解目前的能源短缺问题，其中高效光催化材料的开发是关键环节，也是现阶段研究和应用的瓶颈。

3、硫铟铜(cuins2)是不含任何有毒重金属的ⅰ-ⅲ-ⅳ直接带隙半导体，它通常以纳米片或量子点的形式存在。cuins2不仅具有1.50ev的窄直接带隙，接近太阳光采集的最佳带隙(1.45ev)，同时显示出超高的吸收系数，具有相对较高的载流子迁移率、可调的带隙值而备受关注。然而，由于其固有的缺陷，单纯的三元硫族化合物的可见光光催化活性并不令人满意。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提...

【技术保护点】

1.一种银掺杂的复合光催化剂的制备方法，其特征在于，在CuInS2的合成过程中原位掺杂Ag单原子，制备得到所述银掺杂的复合光催化剂。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将InCl3·4H2O和Cu(CH3COO)2·H2O加入乙二醇中，待完全溶解后加入贵金属银，剧烈搅拌后，加入硫代乙酰胺，继续剧烈搅拌，将所得混合溶液加热、冷却至室温，过滤后洗涤沉淀物，干燥，制备得到所述银掺杂的复合光催化剂。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述InCl3·4H2O和Cu(CH3COO)2·H2O的质量比为7∶4。