一种晶圆键合强度检测装置制造方法及图纸

本技术提供的一种晶圆键合强度检测装置，包括晶圆支撑板，用于支撑待测晶圆；晶圆支撑板设有避让槽，避让槽被配置为：用于通过沿第一方向传送待测晶圆的机械手，其中，第一方向指避让槽的长度方向。本技术提供的晶圆键合强度检测装置，通过在晶圆支撑板上设置避让槽，实现机械手从晶圆支撑板的后端传送待测晶圆，机械手托着待测晶圆，与现有技术中，待测晶圆吸附于机械手的下方相比，能够防止在传送的过程中，待测晶圆从机械手上意外脱落，造成待测晶圆的破损；为晶圆键合强度的检测提供基础。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工，具体而言，涉及一种晶圆键合强度检测装置。

技术介绍

1、随着半导体产业的不断发展，对超大规模集成电路的集成度和性能需求逐渐增加，以适应各项电子产品越做越小，功能越做越强的趋势。而伴随着芯片功能逐步增强，集成度逐渐提高的趋势而来的，便是对工艺中各种不同环节的技术要求越来越高，芯片中晶体管的集成度逐渐达到上限，因此出现了3d集成电路(integrated circuit，ic)技术，3d集成电路(integrated circuit，ic)被定义为一种系统级集成结构，3d集成电路通过键合工艺实现多个芯片之间的垂直互连，增加了芯片的空间，提高了晶体管的集成度，同时还能提高集成电路的工作速度，降低集成电路的功耗。对此，在三维芯片技术中需要对键合在一起的晶圆的界面键合强度进行测试，这对后续的工艺制程和最终产品性能有重要意义。

2、晶圆键合(waferbonding technology)是指通过化学和物理作用将两块己镜面抛光的同质或异质的晶片紧密地结合起来，晶片结合后，界面的原子受到外力的作用而产生反应形成共价键结合成一体，并使结合本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆键合强度检测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆键合强度检测装置，其特征在于，所述晶圆支撑板(10)设有真空吸附槽(120)，所述真空吸附槽(120)沿第二方向间隔设置且位于所述避让槽(110)的两侧，其中，所述第二方向指所述避让槽(110)的宽度方向；

3.根据权利要求2所述的晶圆键合强度检测装置，其特征在于，所述真空吸附槽(120)包括沿第一方向间隔设置的第一凹槽(121)和第二凹槽(122)，所述第一凹槽(121)具有至少2个且沿所述第二方向间隔设置，所述第二凹槽(122)具有至少2个且沿所述第二方向间隔设置。

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆键合强度检测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆键合强度检测装置，其特征在于，所述晶圆支撑板(10)设有真空吸附槽(120)，所述真空吸附槽(120)沿第二方向间隔设置且位于所述避让槽(110)的两侧，其中，所述第二方向指所述避让槽(110)的宽度方向；

3.根据权利要求2所述的晶圆键合强度检测装置，其特征在于，所述真空吸附槽(120)包括沿第一方向间隔设置的第一凹槽(121)和第二凹槽(122)，所述第一凹槽(121)具有至少2个且沿所述第二方向间隔设置，所述第二凹槽(122)具有至少2个且沿所述第二方向间隔设置。

4.根据权利要求2所述的晶圆键合强度检测装置，其特征在于，所述晶圆键合强度检测装置还包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆键合强度检测装置，其特征在于，所述晶圆定位组件(30)包括沿所述第一方向间隔设置的第一定位结构(310)和第二定位结构(320)，所述第一定位结构(310)较所述第二定位结构(320)更靠近所述晶圆推动组件(40)；所述第一定位结构(310)沿所述第二方向间隔设置且位于所述避让槽(110)的两侧；所述第二定位结构(320)沿所述第二方向间隔设置且...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛越，张豹，邢浩，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：