【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
该领域涉及具有集成无源组件的微电子技术。
技术介绍
1、无源电子组件(诸如电容器、电阻器和电感器)在电子系统中发挥着重要作用。例如，无源组件有助于变换信号并且提高系统中有源器件的性能。然而，当使用无源组件时，可能需要减少功耗或不期望的耦合。此外，无源电子组件的片上集成可能会遇到几何结构或布线设计约束。因此，仍然需要改进集成电子系统中的无源电子组件的设计。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种微电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈被配置为作为电感器操作。
3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈被配置为作为自耦变压器操作。
4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈被配置为作为变压器的一部分操作。
5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第二半导体元件在没有居间粘合剂的情况下被直接结合到所述第一半导体元件。
6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的界面包括导体到导体直接结合和电介质到电介
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子器件，包括：
2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈被配置为作为电感器操作。
3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈被配置为作为自耦变压器操作。
4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈被配置为作为变压器的一部分操作。
5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第二半导体元件在没有居间粘合剂的情况下被直接结合到所述第一半导体元件。
6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的界面包括导体到导体直接结合和电介质到电介质直接结合。
7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第一部分被设置在与所述第一半导体元件相关联的后道工艺(beol)层中。
8.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第一部分被设置在与所述第一半导体元件相关联的后道工艺(beol)层的最外金属化层中。
9.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一半导体元件被设置在所述第一衬底的表面上，并且其中所述电磁线圈的所述第一部分被设置在所述衬底的所述表面上的金属化层中。
10.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第一部分被设置在第一结合层中，所述第一结合层将所述第一半导体元件的相关联的beol层结合到外部衬底。
11.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述第一半导体元件的所述相关联的beol层在没有居间粘合剂的情况下被直接结合到所述外部衬底。
12.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述第一结合层包括粘合剂。
13.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第一部分具有矩形螺旋绕组。
14.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第二部分被设置在与所述第二半导体元件相关联的后道工艺(beol)层中。
15.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第二部分被设置在与所述第二半导体元件相关联的后道工艺(beol)层的最外金属化层中。
16.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第二半导体元件被设置在所述第一半导体元件的表面上，并且其中所述电磁线圈的所述第二部分被设置在所述第一半导体元件的所述表面上的金属化层中。
17.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第二部分被设置在第二结合层中，所述第二结合层将所述第二半导体元件的相关联的beol层结合到所述第一半导体元件。
18.根据权利要求17所述的微电子器件，其中所述第二半导体元件的所述相关联的beol层在没有居间粘合剂的情况下被直接结合到所述第一半导体元件。
19.根据权利要求17所述的微电子器件，其中所述第二结合层包括粘合剂。
20.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈的所述第二部分具有矩形螺旋绕组。
21.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括布置在所述第二半导体元件上的第三半导体元件，其中所述电磁线圈的第三部分至少由所述第二半导体元件的所述第二衬底而与所述电磁线圈的所述第二部分间隔开，并且其中延伸穿过所述第二半导体元件的第二导电过孔连接所述电磁线圈的所述第二部分和所述第三部分。
22.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第一半导体元件包括集成器件裸片。
23.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述第二半导体元件包括集成器件裸片。
24.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈包括金属线，其中所述金属线的最小直径为至少0.5μm。
25.根据权利要求1所述的微电子器件，其中被配置为连接到电接地的金属化层被设置在所述电磁线圈的所述第一部分与所述第二部分之间。
26.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电磁线圈包括被配置用于电连接的至少三个接入点。
27.根据权利要求26所述的微电子器件，其中所述电磁线圈被配置为作为自耦变压器操作...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·高，小盖厄斯·G·方丹，B·哈巴，R·坎卡尔，
申请(专利权)人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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