一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相Z-型异质结光催化剂的制备方法和应用技术

技术编号:41829720 阅读:34 留言:0更新日期:2024-06-27 18:15
本发明专利技术涉及纳米全谱光催化材料技术领域,尤其涉及一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相Z‑型异质结光催化剂的制备方法,解决了现有铋系光催化剂存在的光生电子空穴分离率低、全光谱响应范围窄及稳定性差的问题。其制备方法是先通过溶剂热方法制备氧缺陷BiOBr纳米微球,再将四氯金酸与甲苯中的油胺直接反应,制备小粒径分布的单分散Au纳米颗粒,与氧缺陷BiOBr复合制备BiOBr@Au纳米微球核壳结构;最后通过水热反应制备MoSe<subgt;2</subgt;/氧缺陷BiOBr@Au三相复合材料。本发明专利技术中的催化剂在全谱光下都有吸收能力,同时实现了载流子分离效率和强氧化还原能力的协同增强,显示出了优异的光催化活性,能高效降解污染物以及产氢。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米全谱光催化材料,尤其涉及一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相z-型异质结光催化剂的制备方法和应用。


技术介绍

1、目前有机废水带来的环境问题备受关注,有机废水方面常用的去除方法为高级氧化法,其中高级氧化法具有成本低、操作条件易控制、废水处理效率高等优点。在众多高级氧化技术中,光催化氧化技术可以实现对高毒性、难生物降解的有机污染物的深度矿化,从而被广泛关注,但是如何设计出高效、价廉、稳定和全光谱利用以及便于工业化生产的光催化剂,并将其用于有机污染废水的处理已成为当务之急。

2、近年来,由于化石燃料的不断消耗以及化石燃料燃烧利用增加了环境污染问题,目前寻找替代能源和可持续能源一直是人们关注的问题,从这个角度来看,氢是最具吸引力的清洁能源,因为其能量密度高,燃烧产物无污染,在这种情况下,半导体光催化产氢是一种很有前途的清洁方法,高效光催化剂的开发从而倍受关注。

3、biobr作为一种典型的窄带隙层状化合物半导体,晶体构型属于pbfcl型,空间群是p4/nmm,归为典型的四方晶系。biobr与目前常见的tio2光催化相比,具本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相Z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相Z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,五水硝酸铋、聚乙烯吡咯烷酮-K30及溴化钾质量比为0.73:0.7:0.18。

3.根据权利要求1所述的一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相Z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述去离子水和乙二醇的体积比为1:1-1:6。

4.根据权利要求1所述的一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相Z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,五水硝酸铋、聚乙烯吡咯烷酮-k30及溴化钾质量比为0.73:0.7:0.18。

3.根据权利要求1所述的一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述去离子水和乙二醇的体积比为1:1-1:6。

4.根据权利要求1所述的一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述biobr-ovs@au的au质量分数为3%-9%。

5.根据权利要求1所述的一种硒化钼/氧缺陷溴氧化铋@金三相z-型异质结光催化剂的制备方法,其特征在于,步骤(2)油胺与甲苯容积比为1...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐小明朱显会黄佳莹袁瑞霞荆国林郑立辉曹文钟杨绍贵孙成
申请(专利权)人:东北石油大学
类型:发明
国别省市:

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