显示装置制造方法及图纸

本公开的实施方式涉及一种显示装置。更具体地，可以提供一种显示装置，该显示装置能够通过吸收可见光的整个波长带来实现黑色特性，并且通过包括以下各项来改善黑色视觉：基板，其包括发光区域和非发光区域；发光元件，其设置在基板上并且包括第一电极、发光层和第二电极；以及堤层，其限定发光区域的开口部并且包含纳米棒。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施方式涉及一种显示装置，更具体地，例如但不限于涉及一种包括限定发光区域的开口部并且包含纳米棒的堤层的显示装置。

技术介绍

1、随着向信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加，并且近来使用了各种平板显示装置，例如液晶显示装置(lcd)、等离子体显示面板装置(pdp)和有机发光二极管显示装置(oled)。

2、在这些种显示装置当中，有机发光二极管显示装置通过使用自发光元件而不需要在使用非发光元件的液晶显示装置中使用的背光，从而可以实现轻重量和薄类型。另外，有机发光二极管显示装置与液晶显示装置相比具有更好的视角和更好的对比度，并且在功耗方面有利。

3、然而，在应用透明堤层作为显示装置的像素限定膜的情况下，存在根据电极部中的反射的面板的反射率增加的问题。

4、在
技术介绍
部分的描述中提供的描述不应仅仅因为其在
技术介绍
部分的描述中被提及或其与
技术介绍
部分的描述相关联而被假设为现有技术。
技术介绍
部分的描述可以包括描述主题技术的一个或更多个方面的信息，并且在这部分的描述不限制本专利技术。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置，该显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述纳米棒的长轴和所述纳米棒的短轴之间的纵横比为2以上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述纳米棒的所述短轴的长度为1nm至10nm，并且所述纳米棒的所述长轴的长度为2nm至1000nm。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述纳米棒的一端分岔并且具有至少两个分支。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述纳米棒包括纳米半导体化合物。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述纳米半导体化合物包含从由PbSe、PbS、PbSeS、I...

【技术特征摘要】

1.一种显示装置，该显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述纳米棒的长轴和所述纳米棒的短轴之间的纵横比为2以上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述纳米棒的所述短轴的长度为1nm至10nm，并且所述纳米棒的所述长轴的长度为2nm至1000nm。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述纳米棒的一端分岔并且具有至少两个分支。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述纳米棒包括纳米半导体化合物。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述纳米半导体化合物包含从由pbse、pbs、pbses、inasp、inp、inas、hgs、hgse和hgses组成的组中选择的至少一种。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述纳米棒吸收可见光区域的光，并且发射近红外区域的近红外线。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述近红外线具有780nm至1000nm的波长。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤层包含1wt％至5wt％的纳米棒。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述堤层的厚度为1μm至10μm。

11.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括与所述堤层相邻设置的光接收部。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述光接收部包括接收近红外线的光吸收层以及所述光吸收层的上部上的反射电极和透射电极。

13.根据权利要求12所述的显示装置，该显示装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆国，黄圣翰，D·金，玄炳官，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：