【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种包含NandFlash存储器的存储结构，特别涉及的是一 种能够延长NandFlash存储器使用寿命的存储装置以及具有该存储装置的税控 收款机。
技术介绍
NandFlash存储器和NorFlash存储器都是Flash存储器的一种，他们都是闪 存，并作为磁盘存储介质的替代品为大家使用，其中，常用的瑣碎数据存储往 往采用NorFlash存储器，但是NorFlash存在如下缺陷， 一方面，其容量都比较 小，很难做到G字节量级的存储容量，尤其是在一些处理器外围总线受一定限 制的情况下更难做到大容量存储；另一方面，由于工艺原因NorFlash存储器成 本相对较高，在作为存储设备使用时增加了投入成本；所以人们希望通过釆用 NandFlash存储器来替代NorFlash存储器作为瑣碎数据存储。虽然所述的NandFlash存储器作为 一种常用的大容量数据存储芯片，但其技术 特点(寿命有限，按页擦写)决定了 NandFash存储器并不适合做瑣碎数据的存 储。原因是在存储过程中，所述的NandFlash存储器对数据的擦除、写入是按页 或块操作的来实现，这样在需...
【技术保护点】
一种能够延长ＮａｎｄＦｌａｓｈ使用寿命的存储装置，其包括：一ＮａｎｄＦｌａｓｈ存储器，用来存储大量数据，其对数据的擦除、写入是按页或块操作的，其特征在于，还包括： 一ＦＲＡＭ存储器，其作为所述的ＮａｎｄＦｌａｓｈ存储器临时缓冲区，用以存储琐碎数据，当存储的数据量与所述的ＮａｎｄＦｌａｓｈ存储器一页的容量相等时，将存储的数据整体写入到所述的ＮａｎｄＦｌａｓｈ存储器的一个页中； 一处理器，其分别与所述的ＮａｎｄＦｌａｓｈ存储器和所述的ＦＲＡＭ存储器相连接，用以进行数据存储控制。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋晓林，偶瑞军，贺毅，杨大勇，洪岩，
申请(专利权)人：航天信息股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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