【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于通过构建分立的ti3c2tx屏蔽层从而增强zk61镁合金电磁屏蔽性能的影响,具体涉及其制备方法及其优异高波段电磁屏蔽性能的镁合金的应用。
技术介绍
1、日异月新时代,电子设备及系统的频繁使用产生的电磁波充斥着宇宙,大量的电磁辐射产生电磁污染。电磁污染被认为是电子、通信、计算机、航空航天和国防领域的威胁,为了应对这种威胁,制造了各种各样的材料。镁及其合金作为最轻质的工程结构材料,电磁屏蔽性能良好,具有密度低、比强度和比刚度高、阻尼性能优异等优点,是具有发展前景的电磁屏蔽材料之一。然而镁合金的应用受到限制。为了提高镁合金性能,采用合金化元素选择及成分设计、热处理及加工工艺等多种有效方法。然而,传统手段对其综合性能的提升已经达到了瓶颈,因此,从增强相的角度实现对镁合金的二次强化,复合材料表现出了高的电磁性能,从而满足未来精密电子仪器设备对于高电磁屏蔽性能的使用需求。ti3c2tx(tx:-f、-oh、-o)是一种二维过渡金属碳/氮化合物(mxene),其表面含有丰富的官能团,因此作为增强相和基体间润湿性良好。ti3c2tx由于其
...【技术保护点】
1.一种提升电磁屏蔽性能的Ti3C2Tx增强ZK61镁基复合材料的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的提升电磁屏蔽性能的Ti3C2Tx增强ZK61镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述(2)中所得每片样品需要ZK61镁合金粉的质量为0.3g。
3.根据权利要求1所述的提升电磁屏蔽性能的Ti3C2Tx增强ZK61镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述(3)中Ti3C2Tx溶液的浓度为8mg/ml。
4.根据权利要求1所述的提升电磁屏蔽性能的Ti3C2Tx增强ZK61镁基复合材料的制备方法,其特征
...【技术特征摘要】
1.一种提升电磁屏蔽性能的ti3c2tx增强zk61镁基复合材料的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的提升电磁屏蔽性能的ti3c2tx增强zk61镁基复合材料的制备方法,其特征在于,所述(2)中所得每片样品需要zk61镁合金粉的质量为0.3g。
3.根据权利要求1所述的提升电磁屏蔽性能的ti3c2tx增强zk61镁基复合材料的制备方法...
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