【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种薄膜晶体管及显示面板。
技术介绍
1、薄膜晶体管是一种用于控制电流的器件。
2、一种薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，有源层分别与源极和漏极电连接，通过调整栅极电压可以调控有源层中的载流子浓度，从而可以控制源极和漏极间的输出电流。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种。所述技术方案如下：
2、根据本申请的一方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
3、基底；
4、位于所述基底上的有源层、第一栅极、第一绝缘层、第一导电结构、源极以及漏极；
5、所述第一栅极在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影存在交叠；
6、所述第一绝缘层位于所述第一栅极和所述有源层之间，所述第一绝缘层包括层叠的第一子绝缘层以及第二子绝缘层，所述第一导电结构位于第一子绝缘层和第二子绝缘层之间，且所述第一导电结构在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影存在交叠；
<...【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电结构在所述基底上的正投影与所述第一栅极在所述基底上的正投影存在交叠。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电结构包括间隔排布的至少两个第一子导电结构，所述至少两个第一子导电结构在所述基底上的正投影均与所述第一栅极在所述基底上的正投影存在交叠。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两个第一子导电结构在所述基底上的正投影的总面积小于所述第一栅极在所述基底上的正投影的面积，且大于所述第...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电结构在所述基底上的正投影与所述第一栅极在所述基底上的正投影存在交叠。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电结构包括间隔排布的至少两个第一子导电结构，所述至少两个第一子导电结构在所述基底上的正投影均与所述第一栅极在所述基底上的正投影存在交叠。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两个第一子导电结构在所述基底上的正投影的总面积小于所述第一栅极在所述基底上的正投影的面积，且大于所述第一栅极在所述基底上的正投影的面积的一半。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子导电结构的数量为两个，两个所述第一子导电结构沿第一方向间隔排布，或者，两个所述第一子导电结构沿第二方向间...
【专利技术属性】
技术研发人员：于凯，赵永亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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