薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置制造方法及图纸

提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：有源层；以及栅极，其与有源层间隔开并且至少部分地与有源层交叠。有源层包括：第一氧化物半导体层；以及第二氧化物半导体层，其与第一氧化物半导体层接触，并且其迁移率低于第一氧化物半导体层低的迁移率；以及接触部，其作为第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层彼此接触的部分与栅极交叠。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及装置，更具体地，例如但不限于，涉及薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置。

技术介绍

1、晶体管在电子装置领域中广泛用作开关器件或驱动器件。

2、构成氧化物半导体薄膜晶体管的有源层的氧化物可以在较低温度下生长，并且氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率而且根据氧含量而具有大的电阻变化，由此可以容易地获得期望的特性。此外，考虑到氧化物的性质，由于氧化物半导体是透明的，因此有利的是实现透明显示器。然而，氧化物半导体薄膜晶体管具有稳定性和电子迁移率比多晶硅薄膜晶体管更低的缺点。

3、因此，正在进行研究以弥补氧化物半导体薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管的缺点并且充分利用各自的优点。

4、
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部分相关联而被认为是现有技术。
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技术实现思路

1、如专利技术人所认识到的那样，传统上，由于氧化物半导体是透明的，因此利于实现透明显示器。此外，氧化物半导体薄膜晶体管的优本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层具有10cm2/V·s至40cm2/V·s范围内的迁移率差。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的迁移率在25cm2/V·s至50cm2/V·s的范围内。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的迁移率在10cm2/V·s至20cm2/V·s的范围内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层设置在同一层上。<...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层具有10cm2/v·s至40cm2/v·s范围内的迁移率差。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的迁移率在25cm2/v·s至50cm2/v·s的范围内。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的迁移率在10cm2/v·s至20cm2/v·s的范围内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层设置在同一层上。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层覆盖所述第一沟道部和所述第二沟道部并且暴露所述第一导体部和所述第二导体部。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述第一沟道部的至少一部分和所述第二沟道部的至少一部分在所述有源层的厚度方向上彼此交叠。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的至少一部分在所述有源层的厚度方向上与所述第二氧化物半导体层的至少一部分交叠。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层在所述有源层的厚度方向上彼此不交叠。

11.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括彼此间隔开并且与所述第一导体部和所述第二导体部接触的源极和漏极。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层包括以下各项中的至少一种：ingazno基氧化物半导体材料、inzno基氧化物半导体材料、ingaznsno基氧化物半导体材料、insnzno基氧化物半导体材料、feinzno基氧化物半导体材料、zno...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵贤哲，朴志皓，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：