【技术实现步骤摘要】
本技术涉及微波，尤其涉及一种基于pin二极管的各向异性吸波体。
技术介绍
1、随着电子技术的迅猛发展，现代战争逐渐转变为高科技电子战和信息科技战。高灵敏度的雷达探测技术的发展，使得己方军事设备的生存和突防能力受到超视距防御打击的威胁。因此，与之对应的隐身技术成为制胜的关键所在。通常用来衡量目标电磁散射信号大小的重要参数是雷达散射截面(radar cross section，rcs)。因此，目标隐身技术即为目标的rcs缩减技术。
2、随着电磁超材料和超表面的问世以及天线罩频选技术的发展，应用超表面实现对天线的雷达散射截面进行缩减甚至控制已成为科研人员研究的热点。通常为了不影响天线的正常辐射性能，研究人员大多采取在天线周围加载超表面的方式，这样增加了天线的原始尺寸。
3、近年来，利用吸波原理降低天线rcs的设计中，在目前的很多文献中，大多是将吸波体加载于天线阵面四周，或者在阵列上方加载固定极化的电阻型超表面，不适用于大多数对天线极化和尺寸有严格限制的应用场景。基于此，提高吸波体对于天线的应用场景尤为重要。
技术实现思路
1、为解决现有的技术问题，本技术提供了一种基于pin二极管的各向异性吸波体。
2、本技术具体内容如下：一种基于pin二极管的各向异性吸波体，包括第一金属贴片层，第一介质层和第二介质层，
3、第一金属贴片层为尺寸与第一介质层一致的金属贴片，印于第一介质层下方，作为吸波体结构的金属地；
4、第一介质层与第二介质层之
5、第二介质层上印有阻抗结构、第二金属贴片层以及pin管；其中，阻抗结构、第二金属贴片层以及pin管组成“田”字形方环，当pin管在“on”状态时等效为电感和电阻，在“off”状态时等效为电感和电容。
6、进一步的，阻抗结构位于“田”字形方环的外围边上，每条边上对称设有两个阻抗结构；pin管分别设置在“田”字形方环内部的十字边上，每条边上对称设置两个个pin管，“田”字形方环剩余结构为第二金属贴片层。
7、进一步的，吸波体为正方形单元，尺寸为7.5mm×7.5mm，第一金属层尺寸为7.5mm×7.5mm。
8、进一步的，第一介质层和第二介质层的材质均为厚度为0.8mm的fr-4，相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02。
9、进一步的，第一介质层2和第二介质层3之间空气腔的高度为1.9mm。
10、进一步的，第二金属贴片层线宽均为0.3mm，“田”字形方环的边长为6.8mm。
11、进一步的，阻抗结构的阻值均为50欧姆，尺寸为0.3mm×1.4mm，距“田”字形方环顶角的最短距离均为0.8mm。
12、进一步的，pin二极管的尺寸为0.3mm×1.8mm，在“田”字形方环内同一条线上的两pin管之间的距离为1.7mm。
13、进一步的，pin管在“on”状态时等效的电感和电阻的值分别为30ph和7.8ω，在“off”状态时等效的电感和电容的值分别为30ph和0.025pf。
14、本技术的有益效果：在吸波体结构的基础上引入pin二极管，通过pin管的开关状态切换所吸收电磁波的极化方式实现各向异性，并且由于空气腔的存在，可实现吸波体与天线共用金属地，即在第一介质层上方印刷天线单元，得益于上层结构的传输特性，可形成吸波体——天线一体化结构。依据天线的极化方式以及处于辐射或散射状态，分别选择不同位置上pin管的通断，拓宽了吸波体的应用场景，提高了天线隐身设计的自由度。
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1.一种基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：包括第一金属贴片层，第一介质层和第二介质层，
2.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：阻抗结构位于“田”字形方环的外围边上，每条边上对称设有两个阻抗结构；pin管分别设置在“田”字形方环内部的十字边上，每条边上对称设置两个个pin管，“田”字形方环剩余结构为第二金属贴片层。
3.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：吸波体为正方形单元，尺寸为7.5mm×7.5mm，第一金属层尺寸为7.5mm×7.5mm。
4.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：第一介质层和第二介质层的材质均为厚度为0.8mm的FR-4，相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02。
5.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：第一介质层（2）和第二介质层（3）之间空气腔的高度为1.9mm。
6.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：第二金属贴片层线宽均为0.3m
7.根据权利要求6所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：阻抗结构的阻值均为50欧姆，尺寸为0.3mm×1.4mm，距“田”字形方环顶角的最短距离均为0.8mm。
8.根据权利要求6所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：pin二极管的尺寸为0.3mm×1.8mm，在“田”字形方环内同一条线上的两pin管之间的距离为1.7mm。
9.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：pin管在“ON”状态时等效的电感和电阻的值分别为30pH和7.8Ω，在“OFF”状态时等效的电感和电容的值分别为30pH和0.025pF。
...【技术特征摘要】
1.一种基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：包括第一金属贴片层，第一介质层和第二介质层，
2.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：阻抗结构位于“田”字形方环的外围边上，每条边上对称设有两个阻抗结构；pin管分别设置在“田”字形方环内部的十字边上，每条边上对称设置两个个pin管，“田”字形方环剩余结构为第二金属贴片层。
3.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：吸波体为正方形单元，尺寸为7.5mm×7.5mm，第一金属层尺寸为7.5mm×7.5mm。
4.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：第一介质层和第二介质层的材质均为厚度为0.8mm的fr-4，相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02。
5.根据权利要求1所述的基于pin二极管的各向异性吸波体，其特征在于：第...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡恒燕，孙庆锋，
申请(专利权)人：南京国睿防务系统有限公司，
类型：新型
国别省市：
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